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1. WO2020108011 - DISPLAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY APPARATUS

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说明书

发明名称 0001   0002   0003   0004   0005   0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097  

权利要求书

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19  

附图

1A   1B   1C   2A   2B   2C   2D   2E   3   4   5   6   7   8A   8B   9  

说明书

发明名称 : 显示基板及其制作方法和显示装置

[0001]
相关申请的交叉引用
[0002]
本申请基于并且要求于2018年11月29日递交、名称为“密封结构及其制作方法和显示装置”的中国专利申请第201811441329.6号的优先权,在此全文引用上述中国专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。

技术领域

[0003]
本公开实施例涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

[0004]
在显示领域,显示面板的阵列基板设置有多层绝缘层和通过该多层绝缘层隔开的多个导电层。例如,该多层绝缘层包括无机绝缘层和有机绝缘层,有机绝缘层相比无机绝缘层可以制作得更厚,从而可以用于减小存储电容、减小负载和功耗。
[0005]
发明内容
[0006]
本公开实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置,该显示基板具有较好的阻隔水汽的能力。
[0007]
本公开至少一个实施例提供一种显示基板,其包括:衬底基板;位于所述衬底基板上的密封胶;以及位于所述衬底基板和所述密封胶之间且与所述密封胶接触的接触层,其中,所述接触层的远离所述衬底基板的接触层表面在与所述密封胶接触的接触位置处是非平坦的。
[0008]
例如,所述接触层表面在与所述密封胶接触的接触位置处有至少一个接触层凹槽,所述密封胶延伸到所述至少一个接触层凹槽中。
[0009]
例如,所述至少一个接触层凹槽包括第一凹槽和第二凹槽,并且所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度不同。
[0010]
例如,所述至少一个接触层凹槽包括多个所述第一凹槽和多个所述第二凹槽,并且多个所述第一凹槽和多个所述第二凹槽交错设置。
[0011]
例如,所述至少一个接触层凹槽包括封闭的环形凹槽。
[0012]
例如,所述的显示基板还包括:位于所述衬底基板和所述接触层之间的有机层,其中,所述有机层的远离所述衬底基板的有机层表面在所述密封胶所在位置处是非平坦的,以使所述接触层表面在所述接触位置处是非平坦的。
[0013]
例如,所述有机层表面在所述密封胶所在位置处有至少一个有机层凹槽,所述接触层和所述密封胶都延伸到所述至少一个有机层凹槽中。
[0014]
例如,所述至少一个有机层凹槽包括至少一个通孔和至少一个盲孔,所述通孔凹槽的深度等于所述有机层的厚度,所述盲孔凹槽的深度小于所述有机层的厚度。
[0015]
例如,所述至少一个有机层凹槽包括多个通孔凹槽,每个所述通孔凹槽的深度等于所述有机层的厚度。
[0016]
例如,所述显示基板还包括:第一无机层,其位于所述衬底基板上;第二无机层,其位于所述第一无机层的远离所述衬底基板的一侧。所述第一无机层和所述第二无机层在所述衬底基板上的正投影都与所述密封胶在所述衬底基板上的正投影交叠,并且,所述第二无机层作为所述接触层。
[0017]
例如,所述显示基板还包括:第一无机层,其位于所述衬底基板上;第二无机层,其位于所述第一无机层的远离所述衬底基板的一侧。所述第一无机层和所述第二无机层都位于所述接触层和所述衬底基板之间。
[0018]
例如,所述显示基板还包括:第一金属层、半导体层、第二金属层和电极层,其中所述第一无机层位于所述第一金属层与所述半导体层之间,所述第二无机层位于所述半导体层和所述第二金属层之间,所述有机层和所述接触层位于所述第二金属层和所述电极层之间。
[0019]
例如,所述第一无机层和所述第二无机层的材料的化学组成相同,并且所述第一无机层的折射率大于所述第二无机层的折射率,以提高所述密封胶的抗剥离能力。
[0020]
例如,所述第一无机层和所述第二无机层的材料都为二氧化硅,或者都为氮化硅,或者都为氮氧化硅。
[0021]
例如,所述密封胶为光固化型密封胶。
[0022]
本公开的至少一个实施例提供一种显示装置,其包括以上任一项实施例所述的显示基板。
[0023]
本公开的至少一个实施例提供一种显示基板的制作方法,其包括:在衬底基板上形成接触层;以及在所述接触层上形成与所述接触层接触的密封胶,其中,所述接触层的远离所述衬底基板的接触层表面在与所述密封胶接触的接触位置处是非平坦的。
[0024]
例如,在所述衬底基板上依次形成第一无机材料层和第二无机材料层;在同一掩膜工艺中对所述第一无机材料层和所述第二无机材料层进行图案化处理,以分别形成第一无机层和第二无机层。所述第二无机层作为所述接触层;并且对于所述同一掩膜工艺包括的干刻工艺,所述第一无机材料层的干刻速率小于所述第二无机材料层的干刻速率。
[0025]
例如,在所述衬底基板上依次形成第一无机材料层、第二无机材料层和接触层材料层;在同一掩膜工艺中对所述第一无机材料层、所述第二无机材料层和所述接触层材料层进行图案化处理,以分别形成第一无机层、第二无机层和所述接触层。对于所述同一掩膜工艺包括的干刻工艺,所述第一无机材料层、所述第二无机材料层和所述接触层材料层的干刻速率依次增大。

附图说明

[0026]
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
[0027]
图1A为根据本公开一个实施例的显示面板的局部剖视示意图;
[0028]
图1B为图1A所示显示基板的局部示意图;
[0029]
图1C为图1A所示显示基板中部分结构的俯视示意图;
[0030]
图2A为根据本公开另一个实施例的显示面板的局部剖视示意图;
[0031]
图2B为图2A所示显示基板的局部示意图;
[0032]
图2C为图2A所示显示基板阻隔水汽的示意图;
[0033]
图2D为根据本公开再一个实施例的显示基板包括两个通孔凹槽的剖视示意图;
[0034]
图2E为图2D所示的两个通孔凹槽的俯视示意图;
[0035]
图3为根据本公开又一个实施例的显示面板的局部剖视示意图;
[0036]
图4为根据本公开一个实施例的显示基板包括的多个无机层中设置有过 孔的示意图;
[0037]
图5为根据本公开一个实施例的显示基板包括的多个无机层具有不同折射率时的透过率曲线;
[0038]
图6为根据本公开另一个实施例的显示面板的局部剖视示意图;
[0039]
图7为根据本公开一个实施例的显示基板的制作方法中在衬底基板上形成有机材料层的示意图;
[0040]
图8A和图8B为根据本公开一个实施例的显示基板的制作方法中制作第一无机层、第二无机层和接触层的示意图;
[0041]
图9为根据本公开一个实施例的显示基板的制作方法中在衬底基板上形成第一无机材料层和第二无机材料层的示意图。

具体实施方式

[0042]
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
[0043]
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0044]
在显示面板中,由于设置了有机绝缘层,水汽进入面板内部的路径增加,这降低了显示面板的高温高湿实验的信赖性。
[0045]
本公开的至少一个实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。在该显示基板中,与密封胶接触的膜层(以下称为“接触层”)在与密封胶接 触的位置处具有非平坦表面,从而密封胶的与该非平坦表面相接触的位置也是非平坦的,这样可以延长水汽分子从密封胶与接触层之间的界面处进入显示面板的被密封区内的路径,从而有利于提高显示面板的阻隔水汽的能力,提高产品的高温高湿信赖性。
[0046]
下面结合附图,对本公开实施例提供的显示基板及其制作方法和显示装置进行详细说明。
[0047]
本公开的至少一个实施例提供一种显示基板,如图1A和图1B所示,该显示基板包括衬底基板100A和位于衬底基板100A上的密封胶300,该显示基板还包括位于衬底基板100A和密封胶300之间且与密封胶300接触的接触层50,接触层50的远离衬底基板100A的接触层表面50A(如图所示的接触层50的上表面)在与密封胶300接触的接触位置处是非平坦的,从而密封胶300在该接触位置处也是非平坦的。需要说明的是,图1A和图1B只示出了显示基板中的部分部件,例如,在接触层50与衬底基板100A之间还设置有图中未示出的导电层、半导体层或者绝缘层等结构。
[0048]
例如,衬底基板100A为玻璃基板、石英基板或塑料基板等透明基板。
[0049]
例如,密封胶300为有机胶,例如,光固化胶(例如紫外光固化胶)或者热固化胶等。
[0050]
例如,接触层50为无机层或者有机层等透明材料层,例如,该无机层为无机绝缘层,该有机层为有机绝缘层。
[0051]
例如,如图1A和图1B所示,显示面板包括相对设置的第一基板100和第二基板200,密封胶300将第一基板100与第二基板200连接起来,并且第一基板100包括衬底基板100A。例如,该显示面板为液晶面板,在这种情况下,第一基板100、第二基板200和密封胶300形成的密封腔中填充有液晶材料以形成液晶盒,第一基板100和第二基板200之间设置有隔垫物PS以维持液晶的盒厚。需要说明的是,显示面板的实施例包括但不限于液晶面板。
[0052]
例如,第一基板100为阵列基板,其设置有阵列排布的开关元件(例如晶体管)和与开关元件分别电连接的像素电极,并且第一基板100还包括电极层70和覆盖电极层70的配向层60。例如,配向层60与密封胶300不交叠。例如,电极层70为包括像素电极的像素电极层或者电极层70包括交替设置的条状像素电极和条状公共电极;在其它实施例中,第一基板100还包括与 电极层70堆叠设置的另一电极层,该另一电极层与电极层70中的一个为包括像素电极的像素电极层且另一个为包括公共电极的公共电极层。
[0053]
例如,第二基板200包括衬底基板(例如玻璃基板、石英基板或塑料基板等透明基板)和位于该衬底基板上的黑矩阵BM以及位于黑矩阵BM与密封胶300之间的覆盖层OC。例如,第二基板200为包括彩色滤光层的彩膜基板。
[0054]
例如,为了使接触层50的接触层表面50A的非平坦部分的形状通过与密封胶300接触传递给密封胶300,可以采用这样的方式:使接触层50的远离衬底基板100A的接触层表面50A在与密封胶300接触的接触位置处设置有至少一个接触层凹槽,并且密封胶300延伸到该至少一个接触层凹槽中。
[0055]
例如,接触层50的接触层表面50A形成的至少一个接触层凹槽包括深度不同的凹槽。例如,如图1A和图1B所示,接触层50的接触层表面50A形成的至少一个接触层凹槽包括第一凹槽51和第二凹槽52,并且第一凹槽51和第二凹槽52的深度不同。在接触层50采用有机绝缘层制作的情况下,第一凹槽51和第二凹槽52中的深度较小的凹槽底部中的有机材料可以吸收部分水分子,从而进一步减少进入被密封区内的水分子;类似地,在接触层50采用无机绝缘层制作并且接触层50覆盖有机绝缘层的情况下,第一凹槽51和第二凹槽52中的深度较小的凹槽底部下的有机材料可以吸收部分水分子,从而进一步减少进入被密封区内的水分子。
[0056]
在其它实施例中,例如,接触层50的接触层表面50A形成的至少一个接触层凹槽的深度都相同。
[0057]
例如,为了进一步提高显示面板的水汽阻隔能力,如图1A和图1B所示,接触层50的接触层表面50A形成的至少一个接触层凹槽包括多个第一凹槽51和多个第二凹槽52,并且该多个第一凹槽51和该多个第二凹槽52交错设置,即至少两个相邻的第一凹槽51之间设置有第二凹槽52和/或至少两个相邻的第二凹槽52之间设置有第一凹槽51。例如,该多个第一凹槽51和该多个第二凹槽52交替循环排布,即任意两个相邻的第一凹槽51之间设置有一个第二凹槽52并且任意两个相邻的第二凹槽52之间设置有一个第一凹槽51。
[0058]
例如,为了进一步提高显示面板的水汽阻隔能力,如图1C所示,接触层50的接触层表面50A形成的至少一个接触层凹槽包括封闭的环形凹槽(参见 图1C中的深色环形)。例如,该至少一个接触层凹槽包括多个封闭的环形凹槽,例如上述第一凹槽51和第二凹槽52都为封闭的环形凹槽。需要说明的是,图1C中的两个虚线围成的区域为密封胶300所在区域,密封胶所在区域所包围的区域为被密封区,被密封区内设置有例如上述隔垫物PS、配向层60和电极层70。
[0059]
例如,可以通过在衬底基板100A上形成非平坦的有机层然后形成覆盖有机层的接触层50(例如接触层50覆盖且直接接触有机层)的方式,来使接触层50的接触层表面50A在与密封胶300接触的接触位置处是非平坦的。在这种情况下,例如,如图2A和图2B所示,本公开的至少一个实施例提供的显示基板还包括位于衬底基板100A和接触层50之间的有机层14,有机层14的远离衬底基板100A的有机层表面14A(参见图中有机层14的上表面)在密封胶300所在位置处是非平坦的,即有机层14的有机层表面14A设置有与密封胶300交叠的非平坦部分,以使接触层50的接触层表面50A在该接触位置处是非平坦的。
[0060]
需要说明的是,图2A和图2B只示出了显示基板中的部分部件,例如,在有机层14与衬底基板100A之间还设置有图中未示出的导电层、半导体层或者绝缘层等结构。另外,图2A和图2B中的接触层50和密封胶300的设置方式可参考图1A和图1B所示实施例中的相关描述,重复之处不再赘述。
[0061]
在本公开实施例中,虽然接触层50增加了与密封胶300交叠的非平坦部分,但由于先形成非平坦的有机层14然后形成与有机层14直接接触的接触层,因此无需为了形成接触层50的非平坦部分而更改制作接触层50的掩膜板,只需要避免形成的接触层50填平有机层14的非平坦部分即可。在这种情况下,例如,如图2A和图2B所示,接触层50在有机层14的非平坦部分处是非平坦的且连续的。
[0062]
例如,有机层14的远离衬底基板100A的有机层表面14A在密封胶300所在位置处设置有至少一个有机层凹槽,接触层50延伸到该至少一个有机层凹槽中,并且密封胶300也延伸到该至少一个有机层凹槽中。在本公开实施例中,有机层14可以制作得较厚,这使有机层14中的有机层凹槽可以具有较大的深度,从而密封胶300的延伸到有机层凹槽内的部分具有较大的长度,这进一步有利于延长水分子进入被密封区的路径(水分子的进入路径可参见 图2C),以进一步提高显示面板阻隔水汽的能力。
[0063]
为了避免有机层凹槽的开口宽度过大而对显示面板阻隔水汽的能力造成较大影响,例如,有机层14中的该至少一个有机层凹槽的开口宽度小于或等于10微米,即每个有机层凹槽在衬底基板100A上的正投影的尺寸小于或等于10微米。考虑到用于制作有机层14的掩膜板的精度,例如,每个有机层凹槽的开口宽度大于或等于6微米并且小于或等于10微米。
[0064]
例如,如图2A和图2B所示,有机层14的有机层表面14A在密封胶300所在位置处设置的至少一个有机层凹槽包括至少一个通孔凹槽141和至少一个盲孔凹槽142,通孔凹槽141的深度等于有机层14的厚度从而通孔凹槽141贯穿有机层14,盲孔凹槽141的深度小于有机层14的厚度。盲孔凹槽142处的有机层14的材料可以吸收部分水分子,从而进一步减少进入被密封区内的水分子。
[0065]
例如,如图2D所示,所述有机层凹槽包括多个通孔凹槽141(图2D以两个通孔凹槽为例),每个通孔凹槽141的深度都等于有机层14的厚度。例如,如图2E所示,每个通孔凹槽141都为封闭的环形凹槽。
[0066]
例如,在本公开任一实施例中,有机层14可以采用树脂或类似透明绝缘的有机材料制作,以获得较大的厚度。
[0067]
例如,如图3所示,本公开的至少一个实施例提供的显示基板包括位于衬底基板100A上的第一无机层11以及位于第一无机层11的远离衬底基板100A一侧的第二无机层12,第一无机层11和第二无机层12在衬底基板100A上的正投影都与密封胶300在衬底基板100A上的正投影交叠且都位于接触层50和衬底基板100A之间。此处,术语“交叠”指的是比较对象之间具有重叠区域,因此,比较对象之间可以是完全重合,也可以是部分重合。因此,本实施例中,第一无机层11和第二无机层12在衬底基板100A上的正投影都与密封胶300在衬底基板100A上的正投影具有重叠区域,接触层50的非平坦表面形成在该重叠区域中,从而进一步提高了显示面板的阻隔水汽的能力。需要说明的是,图3所示实施例中的接触层50和密封胶300的设置方式可参考图可参考图1A和图1B所示实施例中的相关描述,并且图3所示实施例中的有机层14的设置方式可参考图2A和图2B所示实施例中的相关描述,重复之处不再赘述。
[0068]
例如,第一无机层11、第二无机层12和接触层50都为无机绝缘层。例如,如图3所示,在衬底基板100A之上依次设置有第一金属层81、半导体层90、第二金属层82和电极层70,第一无机层11位于第一金属层81与半导体层90之间,第二无机层12位于半导体层90和第二金属层82之间,有机层14和接触层50位于第二金属层82和电极层70之间。
[0069]
例如,第一无机层11、第二无机层12和接触层50可以通过同一掩膜工艺(即利用同一张掩膜板进行图案化处理的工艺)形成。例如,在该同一掩膜工艺中,通过干刻形成如图4所示的同时贯穿第一无机层11、第二无机层12和接触层50的过孔125,该过孔125用于实现例如电极层70包括的导电结构与第一金属层81包括的导电结构之间的电连接。
[0070]
例如,对于同一干刻工艺(即上述同一掩膜工艺包括的干刻步骤),第一无机层11、第二无机层12和接触层50的干刻速率依次增大(即,离衬底基板100A越近则干刻速率越小),也就是说,越远离衬底基板100A的层越容易被刻蚀。这样有利于使同时贯穿第一无机层11、第二无机层12和接触层50的过孔125具有较好的形貌,即该过孔125的开口尺寸在远离衬底基板的方向上逐渐增大,从而保证不同导电结构之间在过孔125处的电连接。
[0071]
在研究中,本申请的发明人发现,在显示基板包括的多个无机层的材料采用同一化学组成(chemical composition)的情况下,无机层的折射率越大,该无机层的干刻速率越小。基于该发现,本申请的发明人注意到,通过使第一无机层11、第二无机层12和接触层50的材料的化学组成相同并且使第一无机层11、第二无机层12和接触层50的折射率依次减小(即,离衬底基板100A越近则折射率越大),可以同时获得较好的干刻效果和较大的透过率,也就是,既可以使第一无机层11、第二无机层12和接触层50这三者的叠层结构在干刻后形成具有较好形貌的过孔125,又可以使该叠层结构具有较大的透过率,从而在密封胶300为光固化型密封胶时获得较好的固化效果,以提升密封胶300的抗剥离能力。
[0072]
例如,第一无机层11、第二无机层12和接触层50的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。例如,第一无机层11、第二无机层12和接触层50都为二氧化硅薄膜,或者都为氮化硅薄膜或者都为氮氧化硅薄膜,并且第一无机层11、第二无机层12和接触层50的折射率依次减小,在这种情 况下,对于波长范围为335nm-385nm的紫外光或者波长范围为275nm-300nm的紫外光,第一无机层11、第二无机层12和接触层50的透过率依次增大。例如,如图5所示,第一无机层11、第二无机层12和接触层50的折射率(RI)分别为1.95、1.9和1.85,并且对于波长范围为335nm-385nm的紫外光或者波长范围为275nm-300nm的紫外光的透过率随着折射率的增大而依次增大。
[0073]
对于第一无机层11、第二无机层12和接触层50,在其它实施例中,例如,也可以是第一无机层11和第二无机层12的材料的化学组成相同并且第一无机层11的折射率大于第二无机层12的折射率,或者第一无机层11和第二无机层12之一与接触层50的材料的化学组成相同并且第一无机层11和第二无机层12之一的折射率大于第二无机层12的折射率。
[0074]
在其它实施例中,例如,如图6所示,本公开的至少一个实施例提供的显示基板包括覆盖衬底基板100A的第一无机层21以及覆盖第一无机层21的第二无机层22,第一无机层21和第二无机层22都与密封胶300交叠且第二无机层12作为接触层50。
[0075]
需要说明的是,图6只示出了显示基板的部分部件,例如,在第一无机层21与衬底基板100A之间还设置有图中未示出的导电层、半导体层或者绝缘层等结构。另外,图6所示实施例中的接触层50和密封胶300的设置方式可参考图可参考图1A和图1B所示实施例中的相关描述,并且图6所示实施例中的有机层14的设置方式可参考图2A和图2B所示实施例中的相关描述,重复之处不再赘述。
[0076]
例如,对于同一干刻工艺,第一无机层21的干刻速率小于第二无机层22的干刻速率。这样有利于使同时贯穿第一无机层21和第二无机层22的过孔具有较好的形貌,从而保证不同导电结构之间在该过孔处的电连接。
[0077]
例如,第一无机层21和第二无机层22的材料的化学组成相同并且第一无机层21的折射率大于第二无机层22的折射率,这样既有利于使第一无机层21和第二无机层22的叠层结构在干刻后形成具有较好形貌的过孔,又可以使该叠层结构具有较大的透过率。
[0078]
例如,第一无机层21和第二无机层22都为二氧化硅薄膜,或者都为氮化硅薄膜或者都为氮氧化硅薄膜,并且第一无机层21的折射率大于第二无机层22的折射率,在这种情况下,对于波长范围为335nm-385nm的紫外光或 者波长范围为275nm-300nm的紫外光,第一无机层21的透过率小于第二无机层22的透过率,从而第一无机层21和第二无机层22的叠层结构具有较大的透过率。
[0079]
本公开至少一个实施例还提供一种显示装置,其包括以上任一项实施例中的显示基板。
[0080]
例如,本公开实施例提供的显示装置可以为液晶面板、电子纸、OLED(Organic Light-Emitting Diode)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0081]
本公开的至少一个实施例还提供一种显示基板的制作方法,以图1A、图2A、图3和图6所示显示基板为例,该方法包括:在衬底基板100A上形成接触层50;以及在接触层50上形成与接触层50接触的密封胶300,使接触层50的远离衬底基板100A的接触层表面50A在与密封胶300接触的接触位置处是非平坦的。
[0082]
例如,密封胶300通过固化的方式形成。例如,密封胶300通过光固化(例如紫外光固化)的方式形成,例如,从衬底基板100所在侧对用于形成密封胶300的湿胶进行照射以固化该湿胶,从而得到密封胶300。例如,密封胶300也可以采用热固化的方式制作。
[0083]
需要说明的是,如图1A、图2A、图3和图6所示,显示面板包括相对的第一基板100和第二基板200,在本公开实施例提供的制作方法中,可以先在第一基板100上涂布湿胶,然后将该湿胶与第二基板200连接,之后固化湿胶得到密封胶300;或者,可以先在第二基板200上涂布湿胶,然后将该湿胶与第一基板100连接,之后固化湿胶得到密封胶300。
[0084]
例如,本公开的至少一个实施例提供的制作方法还包括:如图7所示,在衬底基板100A上形成有机材料层140;通过对有机材料层140进行图案化处理以形成如图2A、图3和图6所示的有机层14,有机层14的远离衬底基板100A的有机层表面14A在密封胶300所在位置处是非平坦的,以使接触层50的接触层表面50A在接触位置处是非平坦的。
[0085]
例如,用于形成有机层14的图案化处理包括利用掩膜板对有机材料层140进行曝光以及对曝光后的材料进行显影的步骤,在这种情况下,有机层14采用光刻胶制作,例如有机层14采用负性光刻胶以获得更好的阻隔水汽的能 力;或者,用于形成有机层14的图案化处理包括涂覆光刻胶、利用掩膜板对光刻胶进行曝光、对曝光后的光刻胶进行显影以形成光刻胶图案以及利用光刻胶图案进行刻蚀的步骤。
[0086]
例如,对于如图3所示的显示基板,本公开的至少一个实施例提供的制作方法包括:如图8A所示,在衬底基板100A上依次形成第一无机材料层110、第二无机材料层120和接触层材料层500,例如,在形成第一无机材料层110、第二无机材料层120之后形成经过图案化处理的有机层14,之后在有机层14上形成接触材料层500;在同一掩膜工艺中对第一无机材料层110、第二无机材料层120和接触层材料层500进行图案化处理,以分别形成第一无机层11、第二无机层12和接触层50,如图8B所示,对于该同一掩膜工艺包括的干刻工艺,第一无机材料层110、第二无机材料层120和接触层材料层500的干刻速率依次增大。这样有利于使同时贯穿第一无机层11、第二无机层12和接触层50的过孔125具有较好的形貌,即该过孔125的开口尺寸在远离衬底基板的方向上逐渐增大,从而保证不同导电结构之间在过孔125处的电连接。
[0087]
例如,该掩膜工艺包括涂覆光刻胶、利用掩膜板对光刻胶进行曝光、对曝光后的光刻胶进行显影以形成光刻胶图案以及利用光刻胶图案进行干刻的步骤。
[0088]
例如,第一无机层11、第二无机层12和接触层50的材料的化学组成相同并且使第一无机层11、第二无机层12和接触层50的折射率依次减小,这样既有利于使第一无机层11、第二无机层12和接触层50这三者的叠层结构在干刻后形成具有较好形貌的过孔125,又可以使该叠层结构具有较大的透过率,从而使通过光固化方式形成的密封胶300具有较好的固化效果,以提升密封胶300的抗剥离能力。
[0089]
例如,第一无机层11、第二无机层12和接触层50的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。例如,第一无机层11、第二无机层12和接触层50都为二氧化硅薄膜,或者都为氮化硅薄膜或者都为氮氧化硅薄膜,并且第一无机层11、第二无机层12和接触层50的折射率依次减小,在这种情况下,在本公开至少一个实施例提供的制作方法中,形成密封胶300包括:利用波长范围为335nm-385nm的紫外光或者波长范围为275nm-300nm的紫外 光从衬底基板100A一侧照射用于形成密封胶300的湿胶,以得到固化的密封胶300。
[0090]
例如,第一无机层11、第二无机层12和接触层50都采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)或等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)或者其它方法制作。以第一无机层11、第二无机层12和接触层50都为氮化硅薄膜为例,例如,可以通过调整射频功率、成膜腔室内的压力、以及反应气体硅烷(SiH4)和氨气(NH3)的浓度等参数来形成的化学组成相同但折射率不同的多个氮化硅薄膜。
[0091]
例如,对于如图6所示的显示基板,本公开的至少一个实施例提供的制作方法包括:如图9所示,在衬底基板100A和密封胶300之间依次形成第一无机材料层210和第二无机材料层220;在同一掩膜工艺中对第一无机材料层210和第二无机材料层220进行图案化处理,以分别形成如图6所示的第一无机层21和第二无机层22,第二无机层22作为接触层50;对于同一掩膜工艺包括的干刻工艺,第一无机材料层210的干刻速率小于第二无机材料层220的干刻速率。
[0092]
例如,第一无机层21、第二无机层22都为二氧化硅薄膜,或者都为氮化硅薄膜或者都为氮氧化硅薄膜,并且第一无机层21、第二无机层22的折射率依次减小,在这种情况下,在本公开至少一个实施例提供的制作方法中,形成密封胶300包括:利用波长范围为335nm-385nm的紫外光或者波长范围为275nm-300nm的紫外光从衬底基板100A一侧照射用于形成密封胶300的湿胶,以得到固化的密封胶300。
[0093]
例如,第一无机层21和第二无机层22都采用化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积或者其它方法制作。例如,可以通过调整射频功率、成膜腔室内的压力、以及反应气体的浓度等参数来形成的化学组成相同但折射率不同的多个薄膜。
[0094]
本公开实施例提供的制作方法中各部件的设置方式可参考显示基板的实施例中的相关描述,重复之处不再赘述。
[0095]
综上所述,本公开实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置,由于与密封胶接触的膜层在与密封胶接触的位置处具有非平坦表面,从而密封胶的与该非平坦表面相接触的位置也是非平坦的,这样可以延长水汽分子从 密封胶与接触层之间的界面处进入显示面板的被密封区内的路径,从而有利于提高显示面板的阻隔水汽的能力;在一些实施例中,在通过光固化的方式形成密封胶的情况下,通过使位于密封胶与衬底基板之间的多个无机层的材料的化学组成相同并且折射率依次减小,可以提高用于固化密封胶的光的透过率,从而提高密封胶的固化效果和抗剥离能力。
[0096]
有以下几点需要说明:(1)本公开实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计;(2)在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0097]
以上所述仅是本公开的示范性实施方式,而非用于限制本公开的保护范围,本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

权利要求书

[权利要求 1]
一种显示基板,包括: 衬底基板; 位于所述衬底基板上的密封胶;以及 位于所述衬底基板和所述密封胶之间且与所述密封胶接触的接触层,其中,所述接触层的远离所述衬底基板的接触层表面在与所述密封胶接触的接触位置处是非平坦的。
[权利要求 2]
根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述接触层表面在与所述密封胶接触的接触位置处有至少一个接触层凹槽,所述密封胶延伸到所述至少一个接触层凹槽中。
[权利要求 3]
根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述至少一个接触层凹槽包括第一凹槽和第二凹槽,并且所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度不同。
[权利要求 4]
根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述至少一个接触层凹槽包括多个所述第一凹槽和多个所述第二凹槽,并且多个所述第一凹槽和多个所述第二凹槽交错设置。
[权利要求 5]
根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述至少一个接触层凹槽包括封闭的环形凹槽。
[权利要求 6]
根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,还包括: 位于所述衬底基板和所述接触层之间的有机层,其中,所述有机层的远离所述衬底基板的有机层表面在所述密封胶所在位置处是非平坦的,以使所述接触层表面在所述接触位置处是非平坦的。
[权利要求 7]
根据权利要求6所述的显示基板,其中,所述有机层表面在所述密封胶所在位置处有至少一个有机层凹槽,所述接触层和所述密封胶都延伸到所述至少一个有机层凹槽中。
[权利要求 8]
根据权利要求7所述的显示基板,其中,所述至少一个有机层凹槽包括至少一个通孔凹槽和至少一个盲孔凹槽,所述通孔凹槽的深度等于所述有机层的厚度,所述盲孔凹槽的深度小于所述有机层的厚度。
[权利要求 9]
根据权利要求7所述的显示基板,其中,所述至少一个有机层凹槽包括多个通孔凹槽,每个所述通孔凹槽的深度等于所述有机层的厚度。
[权利要求 10]
根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其中,所述显示基板包括: 第一无机层,其位于所述衬底基板上; 第二无机层,其位于所述第一无机层的远离所述衬底基板的一侧, 其中,所述第一无机层和所述第二无机层在所述衬底基板上的正投影都与所述密封胶在所述衬底基板上的正投影交叠,并且,所述第二无机层作为所述接触层。
[权利要求 11]
根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其中,所述显示基板包括: 第一无机层,其位于所述衬底基板上; 第二无机层,其位于所述第一无机层的远离所述衬底基板的一侧, 其中,所述第一无机层和所述第二无机层都位于所述接触层和所述衬底基板之间。
[权利要求 12]
根据权利要求11所述的显示基板,还包括:第一金属层、半导体层、第二金属层和电极层,其中所述第一无机层位于所述第一金属层与所述半导体层之间,所述第二无机层位于所述半导体层和所述第二金属层之间,所述有机层和所述接触层位于所述第二金属层和所述电极层之间。
[权利要求 13]
根据权利要求10所述的显示基板,其中,所述第一无机层和所述第二无机层的材料的化学组成相同,并且所述第一无机层的折射率大于所述第二无机层的折射率,以提高所述密封胶的抗剥离能力。
[权利要求 14]
根据权利要求13所述的显示基板,其中,所述第一无机层和所述第二无机层的材料彼此相同,所述材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。
[权利要求 15]
根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其中,所述密封胶为光固化型密封胶。
[权利要求 16]
一种显示装置,包括权利要求1-15中任一项所述的显示基板。
[权利要求 17]
一种显示基板的制作方法,包括: 在衬底基板上形成接触层;以及 在所述接触层上形成与所述接触层接触的密封胶,其中,所述接触层的远离所述衬底基板的接触层表面在与所述密封胶接触的接触位置处是非平坦的。
[权利要求 18]
根据权利要求17所述的制作方法,其中, 在所述衬底基板上依次形成第一无机材料层和第二无机材料层; 在同一掩膜工艺中对所述第一无机材料层和所述第二无机材料层进行图案化处理,以分别形成第一无机层和第二无机层, 其中,所述第二无机层作为所述接触层;并且 在所述同一掩膜工艺包括的干刻工艺中,所述第一无机材料层的干刻速率小于所述第二无机材料层的干刻速率。
[权利要求 19]
根据权利要求17所述的制作方法,其中, 在所述衬底基板上依次形成第一无机材料层、第二无机材料层和接触层材料层; 在同一掩膜工艺中对所述第一无机材料层、所述第二无机材料层和所述接触层材料层进行图案化处理,以分别形成第一无机层、第二无机层和所述接触层, 其中,在所述同一掩膜工艺包括的干刻工艺中,所述第一无机材料层、所述第二无机材料层和所述接触层材料层的干刻速率依次增大。

附图

[ 图 1A]  
[ 图 1B]  
[ 图 1C]  
[ 图 2A]  
[ 图 2B]  
[ 图 2C]  
[ 图 2D]  
[ 图 2E]  
[ 图 3]  
[ 图 4]  
[ 图 5]  
[ 图 6]  
[ 图 7]  
[ 图 8A]  
[ 图 8B]  
[ 图 9]