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1. WO2020107623 - NEW ON-CHIP S PARAMETER CALIBRATION METHOD

Publication Number WO/2020/107623
Publication Date 04.06.2020
International Application No. PCT/CN2018/125285
International Filing Date 29.12.2018
IPC
G01R 31/28 2006.01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
CPC
G01R 31/2853
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
2851Testing of integrated circuits [IC]
2853Electrical testing of internal connections or -isolation, e.g. latch-up or chip-to-lead connections
Applicants
  • 中国电子科技集团公司第十三研究所 THE 13TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION [CN]/[CN]
Inventors
  • 吴爱华 WU, Aihua
  • 李冲 LI, Chong
  • 刘晨 LIU, Chen
  • 王一帮 WANG, Yibang
  • 付兴昌 FU, Xingchang
  • 梁法国 LIANG, Faguo
  • 田秀伟 TIAN, Xiuwei
  • 刘亚男 LIU, Yanan
  • 曹健 CAO, Jian
Agents
  • 石家庄国为知识产权事务所 SHIJIAZHUANG GOWELL INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM
Priority Data
201811469568.227.11.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) NEW ON-CHIP S PARAMETER CALIBRATION METHOD
(FR) NOUVEAU PROCÉDÉ D'ÉTALONNAGE DE PARAMÈTRE S SUR PUCE
(ZH) 新型在片S参数校准方法
Abstract
(EN)
An on-chip S parameter calibration method and apparatus, suitable for the technical field of terahertz on-chip measurement. The method comprises: when a test system is not connected to a probe, performing two-port calibration on an end face of a waveguide; when the test system is connected to the probe, performing one-port calibration on each of end faces of two probes; and manufacturing, on a substrate of a tested piece, a crosstalk calibration piece of the same length as the tested piece, and calibrating a crosstalk error of the test system by means of the crosstalk calibration piece. The method can realize the accurate characterization and modification of a crosstalk error in an on-chip S parameter calibration process at a high frequency, and improve the accuracy of modification of an on-chip S parameter measurement error at a high frequency.
(FR)
L'invention concerne un procédé et un appareil d'étalonnage de paramètre S sur puce, appropriés pour le domaine technique des mesures térahertz sur puce. Le procédé comprend les étapes suivantes : lorsqu'un système de test n'est pas connecté à une sonde, mettre en oeuvre un étalonnage à deux ports sur une face d'extrémité d'un guide d'ondes ; lorsque le système de test est connecté à la sonde, mettre en oeuvre un étalonnage à un seul port sur chacune des faces d'extrémité de deux sondes ; et fabriquer sur un substrat d'une pièce testée, une pièce d'étalonnage de diaphonie de la même longueur que la pièce testée, et étalonner une erreur de diaphonie du système de test au moyen de la pièce d'étalonnage de diaphonie. Le procédé permet de caractériser et de modifier de façon précise une erreur de diaphonie dans un procédé d'étalonnage de paramètre S sur puce à une fréquence élevée, et d'améliorer la précision de modification d'une erreur de mesure de paramètre S sur puce à une fréquence élevée.
(ZH)
一种在片S参数校准方法和装置,适用于太赫兹在片测量技术领域,该方法包括:在测试系统未连接探针时,在波导端面进行二端口校准;在测试系统连接探针时,在两个探针端面分别进行一端口校准;在被测件的衬底上制作与被测件的长度相等的串扰校准件,根据串扰校准件对测试系统的串扰误差进行校准。该方法可以实现高频在片S参数校准过程中串扰误差的准确表征与修正,提高高频在片S参数测量误差修正的准确度。
Also published as
EP2018925049
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