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1. WO2020096722 - NITRIDE FILMS WITH IMPROVED ETCH SELECTIVITY FOR 3D NAND INTEGRATION

Publication Number WO/2020/096722
Publication Date 14.05.2020
International Application No. PCT/US2019/055262
International Filing Date 08.10.2019
IPC
H01L 21/02 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 27/11524 2017.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11517with floating gate
11521characterised by the memory core region
11524with cell select transistors, e.g. NAND
Applicants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US]/[US]
Inventors
  • SUBRAMONIUM, Pramod
  • SHANKAR, Nagraj
  • SAMANTARAY, Malay, Milan
  • YOSHIZAWA, Katsunori
  • VAN SCHRAVENDIJK, Bart, J.
Agents
  • PENILLA, Albert, S.
Priority Data
62/757,70408.11.2018US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) NITRIDE FILMS WITH IMPROVED ETCH SELECTIVITY FOR 3D NAND INTEGRATION
(FR) FILMS DE NITRURE PRÉSENTANT UNE SÉLECTIVITÉ DE GRAVURE AMÉLIORÉE POUR UNE INTÉGRATION NON-ET 3D
Abstract
(EN)
A method for depositing a nitride layer over an oxide layer to form an oxide-nitride stack is provided. The method includes supplying an inert gas to a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) reactor that supports a substrate having said oxide layer. Then, providing power to an electrode of the PECVD reactor, where the power is configured to strike a plasma. Then, flowing reactant gases into the PECVD reactor. The reactant gases include a first percentage by volume of ammonia (NH3), a second percentage by volume of nitrogen (N2), a third percentage by volume of silane (SiH4) and a fourth percentage by volume of an oxidizer. The fourth percentage by volume of said oxidizer is at least 0.5 percent by volume and less than about 8 percent by volume. Then, continuing to flow the reactant gases into the PECVD reactor until the nitride layer is determined to achieve a target thickness over the oxide layer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche de nitrure sur une couche d'oxyde pour former une pile d'oxyde-nitrure. Le procédé consiste à fournir un gaz inerte à un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) qui prend en charge un substrat ayant ladite couche d'oxyde. Ensuite vient la fourniture d'énergie à une électrode du réacteur PECVD, où la puissance est configurée pour frapper un plasma. Ensuite vient l'écoulement de gaz réactifs dans le réacteur PECVD. Les gaz réactifs comprennent un premier pourcentage en volume d'ammoniac (NH3), un deuxième pourcentage en volume d'azote (N2), un troisième pourcentage en volume de silane (SiH4) et un quatrième pourcentage en volume d'un oxydant. Le quatrième pourcentage en volume dudit oxydant est d'au moins 0,5 pour cent en volume et inférieur à environ 8 pour cent en volume. Ensuite vient la poursuite de l'écoulement des gaz réactifs dans le réacteur PECVD jusqu'à ce que la couche de nitrure soit déterminée pour obtenir une épaisseur cible sur la couche d'oxyde.
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