Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020095504 - PLASMA PROCESSING DEVICE

Publication Number WO/2020/095504
Publication Date 14.05.2020
International Application No. PCT/JP2019/031927
International Filing Date 14.08.2019
IPC
H01L 21/3065 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H05H 1/30 2006.01
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY- CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
26Plasma torches
30using applied electromagnetic fields, e.g. high-frequency or microwave energy
Applicants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 老田 泰一 OIDA, Hirokazu
Agents
  • 稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki
  • 大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi
Priority Data
2018-21071208.11.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
Abstract
(EN)
A plasma processing device (100) is provided with a stage, a first plasma generating unit (101), a drive unit (150), and a control unit (160), and is further provided with a second plasma generating unit (102) spaced apart from the first plasma generating unit (101). The control unit (160) includes a storage unit (169) for storing position distribution data, and a computation processing unit (163) which, on the basis of the position distribution data, computes a ratio of a first operating amount of the first plasma generating unit (101) to a second operating amount of the second plasma generating unit (102), and a scanning amount of the drive unit (150). The control unit (160) is configured to control the first plasma generating unit (101), the second plasma generating unit (102), and the drive unit (150) on the basis of the result of computation by the computation processing unit (163).
(FR)
L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma (100) comprenant un étage, une première unité de génération de plasma (101), une unité d'entraînement (150), et une unité de commande (160), et comprend en outre une seconde unité de génération de plasma (102) espacée de la première unité de génération de plasma (101). L'unité de commande (160) comprend une unité de stockage (169) pour stocker des données de distribution de position, et une unité de traitement informatique (163) qui, sur la base des données de distribution de position, calcule un rapport d'une première quantité de fonctionnement de la première unité de génération de plasma (101) à une seconde quantité de fonctionnement de la seconde unité de génération de plasma (102), et une quantité de balayage de l'unité d'entraînement (150). L'unité de commande (160) est configurée pour commander la première unité de génération de plasma (101), la seconde unité de génération de plasma (102), et l'unité d'entraînement (150) sur la base du résultat de calcul par l'unité de traitement informatique (163).
(JA)
プラズマ処理装置(100)は、ステージと、第1プラズマ発生部(101)と、駆動部(150)と、制御部(160)とを備え、第1プラズマ発生部(101)と離れて設けられている第2プラズマ発生部(102)をさらに備えている。制御部(160)は、位置分布データを記憶する記憶部(169)と、位置分布データに基づいて第1プラズマ発生部(101)の第1稼働量と第2プラズマ発生部(102)の第2稼働量との比率及び駆動部(150)の走査量を演算する演算処理部(163)とを含み、制御部(160)は、演算処理部(163)の演算結果に基づいて、第1プラズマ発生部(101)、第2プラズマ発生部(102)及び駆動部(150)を制御するように構成されている。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau