Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020095411 - JUNCTION STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2020/095411
Publication Date 14.05.2020
International Application No. PCT/JP2018/041502
International Filing Date 08.11.2018
IPC
H01L 21/52 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/06-H01L21/326162
52Mounting semiconductor bodies in containers
Applicants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 山▲崎▼ 浩次 YAMAZAKI, Koji
  • 田村 嘉男 TAMURA, Yoshio
Agents
  • 曾我 道治 SOGA, Michiharu
  • 梶並 順 KAJINAMI, Jun
  • 大宅 一宏 OHYA, Kazuhiro
Priority Data
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) JUNCTION STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE JONCTION, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 接合構造体、半導体装置及びその製造方法
Abstract
(EN)
This junction structure lies between a semiconductor element and a substrate, and comprises a Sn phase, Cu-alloy particles containing P in an amount of not less than 1 mass% but less than 7 mass%, and Ag particles, wherein the Cu-alloy particles are coated with a Cu6Sn5 layer; the Ag particles are coated with a Ag3Sn layer; the Cu-alloy particles and the Ag particles are at least partially bound to each other with a Cu10Sn3 phase therebetween; the total added amount of the Cu-alloy particles and the Ag particles is not less than 25 mass% but less than 65 mass% with respect to the junction structure; and the mass ratio of the added amount of the Ag particles with respect to the added amount of the Cu-alloy particles is not less than 0.2 but less than 1.2.
(FR)
La présente invention concerne une structure de jonction située entre un élément semi-conducteur et un substrat, et comprenant une phase de Sn, des particules d'alliage de Cu contenant du P selon une quantité non inférieure à 1 % en masse mais inférieure à 7 % en masse, et des particules d'Ag, les particules d'alliage de Cu étant revêtues d'une couche de Cu6Sn5 ; les particules d'Ag étant revêtues d'une couche d'Ag3Sn ; les particules d'alliage de Cu et les particules d'Ag étant au moins partiellement liées les unes aux autres avec une phase de Cu10Sn3 entre elles ; la quantité ajoutée totale des particules d'alliage de Cu et des particules d'Ag n'étant pas inférieure à 25 % en masse mais inférieure à 65 % en masse par rapport à la structure de jonction ; et le rapport massique de la quantité ajoutée des particules d'Ag par rapport à la quantité ajoutée des particules d'alliage de Cu n'étant pas inférieur à 0,2 mais inférieur à 1,2.
(JA)
半導体素子と基板との間に介在する接合構造体であって、前記接合構造体は、Sn相と、Pを1質量%以上7質量%未満含有するCu合金粒子と、Ag粒子とを含み、前記Cu合金粒子は、Cu6Sn5層で被覆されており、前記Ag粒子は、Ag3Sn層で被覆されており、前記Cu合金粒子と前記Ag粒子とは、Cu10Sn3相を介して少なくとも部分的に結合されており、前記Cu合金粒子及び前記Ag粒子の添加量の合計は、前記接合構造体に対して、25質量%以上65質量%未満であり、前記Cu合金粒子の添加量に対する前記Ag粒子の添加量の質量比は、0.2以上1.2未満である、接合構造体。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau