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1. WO2020095351 - GATE DRIVE CIRCUIT AND POWER CONVERSION DEVICE

Publication Number WO/2020/095351
Publication Date 14.05.2020
International Application No. PCT/JP2018/041061
International Filing Date 05.11.2018
IPC
H02M 1/08 2006.01
HELECTRICITY
02GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
H03K 17/687 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
51characterised by the use of specified components
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
Applicants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 浅井 孝公 ASAI, Takamasa
  • 一木 理史 ICHIKI, Masafumi
Agents
  • 曾我 道治 SOGA, Michiharu
  • 梶並 順 KAJINAMI, Jun
  • 上田 俊一 UEDA, Shunichi
Priority Data
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) GATE DRIVE CIRCUIT AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE DE GRILLE ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) ゲート駆動回路および電力変換装置
Abstract
(EN)
This gate drive circuit is provided with: a gate drive unit for controlling the ON/OFF state of a semiconductor switch, the gate drive unit having a first terminal, a second terminal, and a gate terminal; a gate resistor connected between the gate drive unit and the gate terminal; and a gate discharge current adjustment circuit connected between the gate drive unit and the first terminal, the gate discharge current adjustment circuit changing the discharge rate at which a gate charge of the semiconductor switch is discharged via the gate resistor so that the discharge rate is delayed, in accordance with the magnitude of a negative potential generated in the first terminal due to a voltage originating from line impedance, when the gate drive unit turns the semiconductor switch OFF.
(FR)
Selon la présente invention, ce circuit d'attaque de grille comprend : une unité d'attaque de grille servant à commander l'état MARCHE/ARRÊT d'un commutateur à semi-conducteur, l'unité d'entraînement de grille ayant un premier terminal, un second terminal, et une borne de grille ; une résistance de grille connectée entre l'unité d'attaque de grille et la borne de grille ; et un circuit de réglage de courant de décharge de grille connecté entre l'unité d'attaque de grille et le premier terminal, le circuit de réglage de courant de décharge de grille changeant le taux de décharge à laquelle une charge de grille du commutateur à semi-conducteur est déchargée par l'intermédiaire de la résistance de grille de telle sorte que le taux de décharge est retardé, en fonction de l'amplitude d'un potentiel négatif généré dans la première borne en raison d'une tension provenant de l'impédance de ligne, lorsque l'unité d'attaque de grille fait tourner le commutateur à semi-conducteur hors tension.
(JA)
ゲート駆動回路は、第1の端子、第2の端子、およびゲート端子を有する半導体スイッチをオンオフ制御するゲート駆動部と、ゲート駆動部とゲート端子との間に接続されたゲート抵抗と、ゲート駆動部と第1の端子との間に接続され、ゲート駆動部が半導体スイッチをターンオフさせる場合に、配線インダクタンスの起電圧によって第1の端子に発生する負電位の大きさに応じて、半導体スイッチのゲート電荷がゲート抵抗を介して放電される放電速度を遅らせる方向に変化させるゲート放電電流調整回路と、を備える。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau