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1. WO2020093935 - TVS DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2020/093935
Publication Date 14.05.2020
International Application No. PCT/CN2019/114924
International Filing Date 01.11.2019
IPC
H01L 29/06 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
02Semiconductor bodies
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions
Applicants
  • 无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 程诗康 CHENG, Shikang
  • 顾炎 GU, Yan
  • 张森 ZHANG, Sen
Agents
  • 广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE
Priority Data
201811313508.106.11.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) TVS DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF TVS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种TVS器件及其制造方法
Abstract
(EN)
A TVS device and a manufacturing method therefor. The TVS device comprises: a first doping type semiconductor substrate (100); a second doping type deep well I (101), a second doping type deep well II (102), and a first doping type deep well (103) provided on the semiconductor substrate; a second doping type heavily doped region I (104) provided in the second doping type deep well I (101); a first doping type well region (105) and a first doping type heavily doped region I (106) provided in the second doping type deep well II (102); a first doping type heavily doped region II (107) and a second doping type heavily doped region II (108) provided in the first doping type deep well (105); a second doping type heavily doped region III (109) located in the first doping type well region (105) and the second doping type deep well II (102); and a first doping type doped region (110) provided in the first doping type well region (105).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif TVS et son procédé de fabrication. Le dispositif TVS comprend : un substrat semi-conducteur de premier type de dopage (100) ; un puits profond I de second type de dopage (101), un puits profond II de second type de dopage (102), et un puits profond de premier type de dopage (103) disposés sur le substrat semi-conducteur ; une région I fortement dopée de second type de dopage disposée dans le puits profond I de second type de dopage ; une région de puits de premier type dopage (105) et une région I fortement dopée de premier type de dopage (106) disposées dans le puits profond II de second type de dopage (102) ; une région II fortement dopée de premier type de dopage (107) et une région II fortement dopée de second type de dopage disposées dans le puits profond de premier type de dopage (105) ; une région III fortement dopée de second type de dopage (109) située dans la région de puits de premier type dopage (105) et le puits profond II de second type de dopage (102) ; et une région dopée de premier type dopage (110) disposée dans la région de puits de premier type de dopage (105).
(ZH)
一种TVS器件及其制造方法,所述TVS器件包括:第一掺杂类型半导体衬底(100);设置于半导体衬底上的第一第二掺杂类型深阱(101)、第二第二掺杂类型深阱(102)和第一掺杂类型深阱(103);设置于第一第二掺杂类型深阱(101)中的第一第二掺杂类型重掺杂区(104);设置于第二第二掺杂类型深阱(102)中的第一掺杂类型阱区(105)和第一第一掺杂类型重掺杂区(106);设置于第一掺杂类型阱区(105)中的第二第一掺杂类型重掺杂区(107)和第二第二掺杂类型重掺杂区(108);位于第一掺杂类型阱区(105)中和第二第二掺杂类型深阱(102)中的第三第二掺杂类型重掺杂区(109);以及设置于第一掺杂类型阱区(105)中的第一掺杂类型掺杂区(110)。
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