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1. WO2020091000 - POLISHING COMPOSITION USING POLISHING PARTICLES THAT HAVE HIGH WATER AFFINITY

Publication Number WO/2020/091000
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/JP2019/042889
International Filing Date 31.10.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
B24B 37/00 2012.01
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
37Lapping machines or devices; Accessories
C09K 3/14 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR APPLICATIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
Applicants
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 三井 滋 MITSUI, Shigeru
  • 西村 透 NISHIMURA, Tohru
  • 石水 英一郎 ISHIMIZU, Eiichiro
Agents
  • 特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE
Priority Data
2018-20641401.11.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) POLISHING COMPOSITION USING POLISHING PARTICLES THAT HAVE HIGH WATER AFFINITY
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE FAISANT APPEL À DES PARTICULES DE POLISSAGE AYANT UNE HAUTE AFFINITÉ POUR L'EAU
(JA) 水親和性の高い研磨粒子を用いた研磨用組成物
Abstract
(EN)
[Problem] To provide a polish composition having a high polishing rate and capable of suppressing the occurrence of defects, when used for CMP polishing for a device wafer. [Solution] This polishing composition includes silica particles, wherein the silica particles are based on a colloidal silica dispersion, and the measured value of pulsed NMR of the dispersion, Rsp=(Rav-Rb)/(Rb), is 0.15-0.7, and the shape factor, SF1 = (area of a circle, derived by using the maximum particle diameter of the particles as the diameter of the circle)/(projected area), of the silica particles, is 1.20-1.80. Rsp is an index indicating water affinity, Rav is the reciprocal of the relaxation time of the colloidal silica dispersion, and Rb is the reciprocal of the relaxation time of the blank aqueous solution excluding the silica particles in the colloidal silica dispersion. The colloidal silica dispersion has an average particle diameter of 40-200 nm as measured by a dynamic light scattering method, and the silica particles in the dispersion have an average primary particle diameter of 10-80 nm as measured by a nitrogen gas adsorption method.
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de polissage ayant un taux de polissage élevé et pouvant supprimer l'apparition de défauts, lorsqu'elle est utilisée pour un polissage CMP d'une tranche de dispositif. La solution selon l'invention porte sur une composition de polissage comprenant des particules de silice, les particules de silice étant basées sur une dispersion de silice colloïdale, et la valeur mesurée de RMN pulsée de la dispersion, Rsp=(Rav-Rb)/(Rb), s'inscrivant dans la plage de 0,15 à 0,7, et le facteur de forme, SF1 = (surface d'un cercle, dérivée au moyen du diamètre de particule maximal des particules en tant que diamètre du cercle)/(surface projetée), des particules de silice, s'inscrivant dans la plage de 1,20 à 1,80. Rsp est un indice indiquant l'affinité pour l'eau, Rav est la réciproque du temps de relaxation de la dispersion de silice colloïdale, et Rb est la réciproque du temps de relaxation de la solution aqueuse témoin à l'exclusion des particules de silice dans la dispersion de silice colloïdale. La dispersion de silice colloïdale a un diamètre de particule moyen de 40 à 200 nm tel que mesuré par un procédé de diffusion de lumière dynamique, et les particules de silice de la dispersion ont un diamètre de particule primaire moyen s'inscrivant dans la plage de 10 à 80 nm tel que mesuré par un procédé d'adsorption de gaz d'azote.
(JA)
【課題】 デバイスウエハのCMP研磨に用いて高い研磨速度とデフェクトの発生を抑制する事が可能な研磨用組成物の提供。 【解決手段】 シリカ粒子を含む研磨用組成物であって、該シリカ粒子がコロイド状シリカ分散液に基づき、その分散液のパルスNMRの測定値Rsp=(Rav-Rb)/(Rb)が0.15~0.7であり、且つ該シリカ粒子の形状係数SF1=(粒子の最大径を直径とする円の面積)/(投影面積)が1.20~1.80である上記研磨用組成物。Rspは水親和性を示す指標であり、Ravはコロイド状シリカ分散液の緩和時間逆数であり、Rbはコロイド状シリカ分散液においてシリカ粒子を除いたブランク水溶液の緩和時間逆数である。コロイド状シリカ分散液の動的光散乱法により測定した平均粒子径が40~200nmであり、該分散液中のシリカ粒子は窒素ガス吸着法により測定した平均一次粒子径が10~80nmである。
Also published as
KR1020207007455
KRKR1020207007455
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