Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020090615 - BAND-PASS FILTER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2020/090615
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/JP2019/041699
International Filing Date 24.10.2019
IPC
G02B 5/28 2006.01
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
20Filters
28Interference filters
Applicants
  • 日本電気硝子株式会社 NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 佐原 啓一 SAHARA Keiichi
  • 伊村 正明 IMURA Masaaki
  • 今村 努 IMAMURA Tsutomu
  • 田邉 泰崇 TANABE Yasutaka
Agents
  • 恩田 誠 ONDA Makoto
  • 恩田 博宣 ONDA Hironori
Priority Data
2018-20541531.10.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) BAND-PASS FILTER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) FILTRE PASSE-BANDE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) バンドパスフィルタ及びその製造方法
Abstract
(EN)
Provided are: a band-pass filter for which filter characteristics can be improved; and a manufacturing method therefor. A band-pass filter 11, which allows light of a specific wavelength region to pass, comprises: a substrate 12 which has light transmitting properties; a first dielectric multilayer film 13 that is provided on a first main surface S1 of the substrate 12; and a second dielectric multilayer film 14 that is provided on a second main surface S2 which is opposite the first main surface S1. The first dielectric multilayer film 13 contains a hydrogenated silicon layer. The second dielectric multilayer film 14 contains a hydrogenated silicon layer.
(FR)
La présente invention concerne un filtre passe-bande pour lequel des caractéristiques de filtre peuvent être améliorées et son procédé de fabrication. La présente invention concerne un filtre passe-bande 11, qui permet à la lumière d'une région de longueur d'onde spécifique de passer. L'invention comprend : un substrat 12 qui a des propriétés de transmission de lumière, un premier film multicouche diélectrique 13 qui est disposé sur une première surface principale S1 du substrat 12 et un second film multicouche diélectrique 14 qui est disposé sur une seconde surface principale S2 qui est opposée à la première surface principale. Le premier film multicouche diélectrique 13 contient une couche de silicium hydrogéné. Le second film multicouche diélectrique 14 contient une couche de silicium hydrogéné.
(JA)
フィルタ特性を高めることを可能にしたバンドパスフィルタ及びその製造方法を提供する。特定の波長領域の光を透過させるバンドパスフィルタ11は、光透過性を有する基板12と、基板12の第1主面S1側に設けられる第1の誘電体多層膜13と、第1主面S1とは反対側の第2主面S2側に設けられる第2の誘電体多層膜14とを有する。第1の誘電体多層膜13は、水素化シリコン層を含む。第2の誘電体多層膜14は、水素化シリコン層を含む。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau