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1. WO2020090244 - SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Publication Number WO/2020/090244
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/JP2019/035770
International Filing Date 11.09.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369 2011.01
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Applicants
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
Inventors
  • 滝口 亮 TAKIGUCHI Ryo
  • 河野 真 KONO Makoto
  • 太田 慶一 OTA Keiichi
  • 高 哲也 TAKA Tetsuya
Agents
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
Priority Data
2018-20573831.10.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
Abstract
(EN)
A solid-state imaging device 1 according to the present invention is provided with: a semiconductor substrate 20 which has a main surface 20a that is provided with a plurality of photosensitive regions 3; and an insulating film 30 which is provided on the main surface 20a of the semiconductor substrate 20. If the main surface 20a of the semiconductor substrate 20 is taken as the reference surface K, the thickness T of the insulating film 30 from the reference surface K is 0.5 μm or more; a surface (main surface 30b) of the insulating film 30, said surface being on the reverse side of the main surface, is formed as a flat surface; and the main surface 20a of the semiconductor substrate 20 is provided with a plurality of kinds of bottom surfaces R, which are different from each other in the depth from the reference surface K, in the photosensitive regions 3.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs 1 qui comprend : un substrat semi-conducteur 20 qui a une surface principale 20a qui est pourvue d'une pluralité de régions photosensibles 3 ; et un film isolant 30 qui est disposé sur la surface principale 20a du substrat semi-conducteur 20. Si la surface principale 20a du substrat semi-conducteur 20 est considérée comme surface de référence K, l'épaisseur T du film isolant 30 à partir de la surface de référence K est de 0,5 µm ou plus ; une surface (surface principale 30b) du film isolant 30, ladite surface étant sur le côté opposé de la surface principale, est formée sous la forme d'une surface plate ; et la surface principale 20a du substrat semi-conducteur 20 est pourvue d'une pluralité de types de surfaces inférieures R, qui sont différentes les unes des autres dans la profondeur à partir de la surface de référence K, dans les régions photosensibles 3.
(JA)
固体撮像装置1は、複数の光感応領域3が設けられた主面20aを有する半導体基板20と、半導体基板20の主面20aに設けられた絶縁膜30と、を備え、半導体基板20の主面20aを基準面Kとした場合に、基準面Kからの絶縁膜30の厚さTが0.5μm以上であり、絶縁膜30における主面と反対側の面(主面30b)は、平坦性を有する面となっており、光感応領域3において、半導体基板20の主面20aには、基準面Kからの深さが互いに異なる複数種の底面Rが設けられている。
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