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1. WO2020090150 - IMAGING DEVICE

Publication Number WO/2020/090150
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/JP2019/025285
International Filing Date 26.06.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369 2011.01
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Applicants
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 佐藤 嘉晃 SATOU Yoshiaki
  • 佐藤 好弘 SATO Yoshihiro
  • 村上 雅史 MURAKAMI Masashi
Agents
  • 鎌田 健司 KAMATA Kenji
  • 野村 幸一 NOMURA Koichi
Priority Data
2018-20393230.10.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置
Abstract
(EN)
This imaging device is provided with: a semiconductor substrate; a first pixel which performs photoelectric conversion; and a first shield. The first pixel comprises: a first diffusion region which is present within the semiconductor substrate; a first wiring line which is connected to the first diffusion region; a first transistor; and a first voltage line which constitutes at least a part of a voltage supply path to the drain or the source of the first transistor. A first signal charge obtained through the photoelectric conversion by the first pixel passes through the first wiring line. The first signal charge flows into the gate of the first transistor via the first wiring line. Voltages different from each other are applied to the first voltage line. The distance between the first voltage line and the first shield is shorter than the distance between the first voltage line and the first wiring line.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'imagerie comprenant : un substrat semi-conducteur ; un premier pixel qui réalise une conversion photoélectrique ; et un premier blindage. Le premier pixel comprend : une première région de diffusion qui est présente à l'intérieur du substrat semi-conducteur ; une première ligne de câblage qui est connectée à la première région de diffusion ; un premier transistor ; et une première ligne de tension qui constitue au moins une partie d'un trajet d'alimentation en tension au drain ou à la source du premier transistor. Une première charge de signal obtenue par la conversion photoélectrique par le premier pixel passe à travers la première ligne de câblage. La première charge de signal s'écoule dans la grille du premier transistor par l'intermédiaire de la première ligne de câblage. Des tensions différentes les unes des autres sont appliquées à la première ligne de tension. La distance entre la première ligne de tension et le premier blindage est inférieure à la distance entre la première ligne de tension et la première ligne de câblage.
(JA)
撮像装置は、半導体基板と、光電変換を行う第1画素と、第1シールドと、を備える。前記第1画素は、前記半導体基板内に存在する第1拡散領域と、前記第1拡散領域に接続された第1配線と、第1トランジスタと、前記第1トランジスタのドレインまたはソースへの電圧供給経路の少なくとも一部を構成する第1電圧線と、を含む。第1配線には、前記第1画素による前記光電変換で得られた第1信号電荷が流れる。前記第1トランジスタのゲートには、前記第1配線を経由して前記第1信号電荷が流入する。第1電圧線には、互いに異なる電圧が印加される。前記第1電圧線と前記第1シールドとの間の距離は、前記第1電圧線と前記第1配線との間の距離よりも小さい。
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