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1. WO2020090000 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Publication Number WO/2020/090000
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/JP2018/040306
International Filing Date 30.10.2018
IPC
H01L 21/60 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/06-H01L21/326162
60Attaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
Applicants
  • 日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 本田 一尊 HONDA Kazutaka
  • 上野 恵子 UENO Keiko
  • 柳田 裕貴 YANAGITA Yuuki
Agents
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori
  • 平野 裕之 HIRANO Hiroyuki
Priority Data
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract
(EN)
The manufacturing method according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device that includes a first member which has a first connecting part and sides that extend linearly, a second member which has a second connecting part, and an adhesive layer which is disposed between the first and second members. This manufacturing method includes a stacking step of preparing a stack in which the first member, the adhesive layer, and the second member are stacked in order, and a crimping step of irradiating the stack with a laser for heating, with pressure applied to the stack in a thickness direction. In the crimping step, the stack is irradiated with the laser such that a laser irradiated portion, a laser non-irradiated portion, and a laser irradiated portion are formed in order from a peripheral portion of one end of each side of the first member toward a peripheral portion of the other end thereof.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui comprend un premier élément qui a une première partie de liaison et des côtés qui s'étendent linéairement, un second élément qui a une seconde partie de liaison, et une couche adhésive qui est placée entre les premier et second éléments. Ce procédé de fabrication comprend une étape d'empilement consistant à préparer un empilement dans lequel le premier élément, la couche adhésive et le second élément sont empilés dans l'ordre, et une étape de sertissage consistant à irradier l'empilement avec un laser pour chauffer, en appliquant une pression sur l'empilement dans le sens de l'épaisseur. Lors de l'étape de sertissage, l'empilement est irradié avec le laser de telle sorte qu'une partie irradiée par laser, une partie non irradiée par laser et une partie irradiée par laser sont formées dans l'ordre à partir d'une partie périphérique d'une extrémité de chaque côté du premier élément vers une partie périphérique de l'autre extrémité de celui-ci.
(JA)
本開示に係る製造方法は、第一の接続部を有し且つ直線状に延びる辺を有する第一の部材と、第二の接続部を有する第二の部材と、第一及び第二の部材との間に配置された接着剤層とを含む半導体装置を製造するためのものである。本開示の製造方法は、第一の部材、接着剤層及び第二の部材がこの順序で積層された積層体を準備する積層工程と、積層体に対して厚さ方向に押圧力を加えた状態で、積層体に対して加熱のためのレーザーを照射する圧着工程とを含み、圧着工程において、第一の部材の辺の一端の周縁部から他端の周縁部に向けて、レーザー照射部、レーザー非照射部及びレーザー照射部がこの順序で形成されるように、積層体に対してレーザーを照射する。
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