Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020088396 - THROUGH-SILICON VIA INTERCONNECTION STRUCTURE AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Publication Number WO/2020/088396
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/CN2019/113643
International Filing Date 28.10.2019
IPC
H01L 23/48 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads or terminal arrangements
Applicants
  • CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN]/[CN]
Inventors
  • CHANG, Chihwei
Agents
  • SHANGHAI SAVVY INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Priority Data
201811270746.929.10.2018CN
201821762014.729.10.2018CN
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) THROUGH-SILICON VIA INTERCONNECTION STRUCTURE AND METHODS FOR FABRICATING SAME
(FR) STRUCTURE D'INTERCONNEXION DE TROU D'INTERCONNEXION TRAVERSANT LE SILICIUM ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract
(EN)
A TSV interconnection structure and a method for fabricating same are revealed. The TSV interconnection structure may include a plurality of upper substrate structures, wherein each of the plurality of upper substrate structures is provided with a plurality of TSVs, each of the plurality of upper substrate structures is stacked on and displaced from adjacent upper substrate structures, and at least some of the TSVs of each of the plurality of upper substrate structure are connected with corresponding TSVs of the adjacent upper substrate structures; and connecting wires disposed in the plurality of TSVs and configured to connect corresponding circuits on the plurality of upper substrate structures. Utilizing the displace arrangement between the upper substrate structures, the TSVs can be displaced and connected without using RDL for a better yield, shorter the fabrication time, and lower costs.
(FR)
L'invention concerne une structure d'interconnexion de TSV et un procédé de fabrication de celle-ci. La structure d'interconnexion de TSV peut comprendre une pluralité de structures de substrat supérieures, chacune de la pluralité de structures de substrat supérieures comprenant une pluralité de TSV, chacune de la pluralité de structures de substrat supérieures étant empilée sur et déplacée à partir de structures de substrat supérieures adjacentes, et au moins certains des TSV de chacune de la pluralité de structures de substrat supérieures sont connectés à des TSV correspondants des structures de substrat supérieures adjacentes ; et des fils de connexion disposés dans la pluralité de TSV et configurés pour connecter des circuits correspondants sur la pluralité de structures de substrat supérieures. En utilisant l'agencement de déplacement entre les structures de substrat supérieures, les TSV peuvent être déplacés et connectés sans utiliser de RDL pour un meilleur rendement, plus court que le temps de fabrication, et des coûts inférieurs.
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau