Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020088251 - SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Publication Number WO/2020/088251
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/CN2019/111424
International Filing Date 16.10.2019
IPC
H01S 5/024 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
024Cooling arrangements
Applicants
  • 深圳市中光工业技术研究院 SHENZHEN LASER INSTITUTE [CN]/[CN]
Inventors
  • 郑兆祯 ZHENG, Zhaozhen
  • 陈长安 CHEN, Changan
Priority Data
201811266760.129.10.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 一种半导体激光器
Abstract
(EN)
A semiconductor laser device (201), at least comprising: a first heat-sink substrate (202), comprising an upper surface and a lower surface that are oppositely arranged, the first heat-sink substrate (202) being provided with at least one first through hole, the first through hole penetrating from the upper surface to the lower surface; a first laser device module (203) provided on the upper surface of the first heat-sink substrate (202); a second laser device module (204) provided on the lower surface of the first heat-sink substrate (202); and a first connection member (205) received in the first through hole; wherein the first laser device module (203) is electrically connected to the second laser device module (204) by means of the first connection member (205). By means of the mode, the number of electrode leads of the laser device can be reduced, thereby reducing the heating and improving the stability of the performance of the laser device.
(FR)
L'invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur (201), comprenant au moins : un premier substrat de dissipateur thermique (202), comprenant une surface supérieure et une surface inférieure qui sont agencées de façon opposée, le premier substrat de dissipateur thermique (202) comportant au moins un premier trou traversant, le premier trou traversant pénétrant de la surface supérieure à la surface inférieure ; un premier module de dispositif laser (203) disposé sur la surface supérieure du premier substrat de dissipateur thermique (202) ; un second module de dispositif laser (204) disposé sur la surface inférieure du premier substrat de dissipateur thermique (202) ; et un premier élément de connexion (205) reçu dans le premier trou traversant ; le premier module de dispositif laser (203) étant électriquement connecté au second module de dispositif laser (204) au moyen du premier élément de connexion (205). Au moyen du mode, le nombre de fils d'électrode du dispositif laser peut être réduit, ce qui permet de réduire le chauffage et d'améliorer la stabilité des performances du dispositif laser.
(ZH)
一种半导体激光器(201),至少包括:第一热沉基板(202),包括相对设置的上表面及下表面,第一热沉基板(202)设置有至少一个第一通孔,第一通孔从上表面贯穿至下表面;第一激光器模组(203),设置在第一热沉基板(202)的上表面;第二激光器模组(204),设置在第一热沉基板(202)的下表面;第一连接件(205),容置于第一通孔内;其中,第一激光器模组(203)与第二激光器模组(204)通过第一连接件(205)电连接。通过这种方式,能够减少激光器的电极引线数量,进而减少发热及提升其性能的稳定性。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau