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1. WO2020088205 - WAFER STACKING METHOD AND WAFER STACKING STRUCTURE

Publication Number WO/2020/088205
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/CN2019/110174
International Filing Date 09.10.2019
IPC
H01L 25/065 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/-H01L51/128
04the devices not having separate containers
065the devices being of a type provided for in group H01L27/78
H01L 23/498 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads or terminal arrangements
488consisting of soldered or bonded constructions
498Leads on insulating substrates
H01L 23/522 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
Applicants
  • CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN]/[CN]
Inventors
  • CHUANG, Ling-Yi
  • NING, Shu-Liang
Agents
  • SHANGHAI SAVVY INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Priority Data
201811294776.301.11.2018CN
201821792445.801.11.2018CN
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) WAFER STACKING METHOD AND WAFER STACKING STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ ET STRUCTURE D'EMPILEMENT DE TRANCHES
Abstract
(EN)
A wafer stacking method and structure are provided. The wafer stacking method includes: providing a first wafer, wherein an upper surface of the first wafer includes a first bonding pad configured to connect to a first signal; fabricating a first redistribution layer (RDL) on the first wafer, comprising a first wiring electrically connected to the first bonding pad, and the first wiring includes a first landing pad; bonding a second wafer on the first RDL, wherein the second wafer includes a second bonding pad configured to connect the first signal and located corresponding to the first bonding pad; fabricating a first through silicon via (TSV) with a bottom connected to the first landing pad at a position corresponding to the first landing pad; and fabricating a second RDL on the second wafer to connect the second bonding pad and the first TSV. This wafer stacking method improves the manufacturing yield.
(FR)
L'invention concerne un procédé et une structure d'empilement de tranches. Le procédé d'empilement de tranches consiste à : utiliser une première tranche, une surface supérieure de la première tranche comprenant une première plage de connexion conçue pour une connexion à un premier signal ; fabriquer une première couche de redistribution (RDL) sur la première tranche, comprenant un premier câblage électriquement connecté à la première plage de connexion, et le premier câblage comprenant une première plage d'accueil ; coller une seconde tranche sur la première RDL, la seconde tranche comprenant une seconde plage de connexion conçue pour une connexion au premier signal et située en correspondance avec la première plage de connexion ; fabriquer un premier trou de raccordement traversant au silicium (TSV) dont le fond est connecté à la première plage d'accueil à une position correspondant à la première plage d'accueil ; et fabriquer une seconde RDL sur la seconde tranche de façon à connecter la seconde plage de connexion et le premier TSV. Le présent procédé d'empilement de tranches améliore le rendement de fabrication.
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau