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1. WO2020087957 - ACOUSTIC WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Publication Number WO/2020/087957
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/CN2019/093405
International Filing Date 27.06.2019
IPC
H03H 9/15 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
15Constructional features of resonators consisting of piezo-electric or electrostrictive material
H03H 3/02 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
CPC
H03H 3/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
H03H 9/15
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
15Constructional features of resonators consisting of piezo-electric or electrostrictive material
Applicants
  • 武汉衍熙微器件有限公司 WUHAN YANXI MICRO COMPONENTS CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 林瑞钦 LIN, Re-Ching
  • 廖珮淳 LIAO, Pei-Chun
Agents
  • 北京派特恩知识产权代理有限公司 CHINA PAT INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE
Priority Data
201811291555.031.10.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种声波器件及其制作方法
Abstract
(EN)
The embodiments of the present invention disclose an acoustic wave device. The device comprises: a substrate, and a first electrode layer, a piezoelectric layer, and a second electrode layer sequentially arranged on the substrate. The device further comprises a protective layer, wherein: the protective layer is at least arranged at a first position of the second electrode layer away from a surface of the substrate. The first position is a position on the second electrode layer corresponding to a first overlap region. The first overlap region is a region where an active region of the acoustic wave device is located in a region where the first electrode layer, the second electrode layer, and the piezoelectric layer overlap each other. The embodiments of the present invention further disclose a method for manufacturing the acoustic wave device.
(FR)
Les modes de réalisation de la présente invention concerne un dispositif à ondes acoustiques. Le dispositif comprend : un substrat, et une première couche d'électrodes, une couche piézoélectrique, et une seconde couche d'électrodes disposées séquentiellement sur le substrat. Le dispositif comprend en outre une couche de protection, dans laquelle : la couche de protection est au moins disposée à une première position de la seconde couche d'électrodes à distance d'une surface du substrat. La première position est une position sur la seconde couche d'électrodes correspondant à une première région de chevauchement. La première région de chevauchement est une région dans laquelle une région active du dispositif à ondes acoustiques est située dans une région où la première couche d'électrodes, la seconde couche d'électrodes et la couche piézoélectrique se chevauchent. Les modes de réalisation de la présente invention concernent en outre un procédé de fabrication du dispositif à ondes acoustiques.
(ZH)
本申请实施例公开了一种声波器件,所述器件包括:衬底基板,以及依次设置在所述衬底基板上的第一电极层、压电层和第二电极层,所述器件还包括保护层,其中:所述保护层至少设置在所述第二电极层的远离所述衬底基板的面上的第一位置处;所述第一位置为所述第二电极层上与第一重叠区域对应的位置,所述第一重叠区域为所述第一电极层、所述第二电极层和所述压电层之间相互重叠的区域中所述声波器件的有源区所在的区域。本申请的实施例同时还公开了一种声波器件的制作方法。
Also published as
EP2019816487
KR1020197037293
KRKR1020197037293
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