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1. WO2020087917 - METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION

Publication Number WO/2020/087917
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/CN2019/088154
International Filing Date 23.05.2019
IPC
H01L 43/12 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Applicants
  • 江苏鲁汶仪器有限公司 JIANGSU LEUVEN INSTRUMMENTS CO., LTD [CN]/[CN]
Inventors
  • 车东晨 CHE, Dongchen
  • 刘自明 LIU, Ziming
  • 蒋中原 JIANG, Zhongyuan
  • 王珏斌 WANG, Juebin
  • 崔虎山 CUI, Hushan
  • 胡冬冬 HU, Dongdong
  • 陈璐 CHEN, Lu
  • 邹志文 ZOU, Zhiwen
  • 孙宏月 SUN, Hongyue
  • 许开东 XU, Kaidong
Agents
  • 北京得信知识产权代理有限公司 BEIJING TRUSTED INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD
Priority Data
201811298680.402.11.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE
(ZH) 一种磁隧道结制作方法
Abstract
(EN)
Provided is a method for manufacturing a magnetic tunnel junction, employing an etching device that comprises: a sample loading chamber (15), a vacuum transition chamber (14), a reactive-ion plasma etching chamber (10), an ion beam etching chamber (11), a coating chamber (12), and a vacuum delivery chamber (13). Under the constant application of a vacuum, the reactive-ion plasma etching chamber (10), the ion beam etching chamber (11), and the coating chamber (12) are used together to perform steps of ion beam etching (S13), reactive ion cleaning (S14), and applying a protective coating (S15). The above method can effectively reduce device damage and contamination, avoid effects of overetching, and improve device performance. Meanwhile, the steepness of an etching pattern can be precisely controlled, so as to obtain pattern results satisfying performance requirements.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une jonction tunnel magnétique, faisant intervenir un dispositif de gravure qui comprend : une chambre de charge d'échantillon (5), une chambre de transition sous vide (14), une chambre de gravure au plasma ionique réactive (10), une chambre de gravure par faisceau ionique (11), une chambre de revêtement (12), et une chambre de distribution sous vide (13). Sous l'application constante d'un vide, la chambre de gravure au plasma ionique réactive (10), la chambre de gravure par faisceau ionique (11) et la chambre de revêtement (12) sont utilisées ensemble pour effectuer des étapes de gravure par faisceau ionique (S13), de nettoyage ionique réactif (S14), et d'application d'un revêtement protecteur (S15). Le procédé ci-dessus peut réduire efficacement la contamination et les dommages causés au dispositif dispositif, éviter les effets de surgravure, et améliorer les performances du dispositif. Pendant ce temps, l'inclinaison d'un motif de gravure peut être contrôlée avec précision, de façon à obtenir des résultats de motif satisfaisant aux exigences de performance.
(ZH)
一种磁隧道结制作方法,所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室(15)、真空过渡腔室(14)、反应离子等离子体刻蚀腔室(10)、离子束刻蚀腔室(11)、镀膜腔室(12)以及真空传输腔室(13),在不中断真空的情况下,利用反应离子等离子体刻蚀腔室(10)、离子束刻蚀腔室(11)和镀膜腔室(12)相结合对磁性隧道结进行离子束刻蚀步骤(S13)、反应离子清洗步骤(S14)和镀膜保护步骤(S15)。上述方法能够有效降低器件损伤和沾污,避免过刻造成的影响,提高器件性能,同时能够精确控制刻蚀图形的陡直度,获得满足性能需求的图形结果。
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