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1. WO2020087806 - EPITAXIAL SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2020/087806
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/CN2019/075758
International Filing Date 21.02.2019
IPC
H01L 33/38 2010.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
H01L 33/62 2010.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. leadframe, wire-bond or solder balls
Applicants
  • 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 KUNSHAN NEW FLAT PANEL DISPLAY TECHNOLOGY CENTER CO., LTD [CN]/[CN]
  • 昆山国显光电有限公司 KUNSHAN GO-VISIONOX OPTO-ELECTRONICS CO., LTD [CN]/[CN]
Inventors
  • 郭恩卿 GUO, Enqing
  • 邢汝博 XING, Rubo
  • 黄秀颀 HUANG, Xiuqi
Agents
  • 广东君龙律师事务所 GUANGDONG JUNLONG LAW FIRM
Priority Data
201811290471.531.10.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) EPITAXIAL SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 外延基板及其制造方法
Abstract
(EN)
Disclosed are an epitaxial substrate. The epitaxial substrate comprises: a substrate body; a plurality of bosses arranged on the substrate body in an array manner; a plurality of contact electrodes correspondingly arranged on the top of the bosses; a planarization layer covering the bosses and a region of the substrate body that is not covered by the bosses, wherein the planarization layer is provided with first through holes corresponding to the bosses so that the contact electrodes are exposed via the first through holes; and a plurality of pads arranged in an array manner on the planarization layer and electrically connected to the corresponding contact electrodes via the first through holes, wherein the area of vertical projection of the pad on the substrate body is greater than the area of vertical projection of the contact electrode on the substrate body. Further disclosed is a method for manufacturing an epitaxial substrate. By means of the method, the present application can improve the alignment success rate between an epitaxial substrate and a driving substrate.
(FR)
L'invention concerne un substrat épitaxial. Le substrat épitaxial comprend : un corps de substrat ; une pluralité de bossages disposés sur le corps de substrat en réseau ; une pluralité d'électrodes de contact disposées de manière correspondante sur le dessus des bossages ; une couche de planarisation recouvrant les bossages et une région du corps de substrat qui n'est pas recouverte par les bossages, la couche de planarisation comportant des premiers trous traversants correspondant aux bossages de telle sorte que les électrodes de contact sont exposées par l'intermédiaire des premiers trous traversants ; et une pluralité de plots disposés en réseau sur la couche de planarisation et connectés électriquement aux électrodes de contact correspondantes par l'intermédiaire des premiers trous traversants, la zone de projection verticale du plot sur le corps de substrat étant supérieure à la zone de projection verticale de l'électrode de contact sur le corps de substrat. La présente invention porte en outre sur un procédé permettant de fabriquer un substrat épitaxial. Au moyen du procédé, la présente invention peut améliorer le taux de réussite d'alignement entre un substrat épitaxial et un substrat d'entraînement.
(ZH)
本申请公开了一种外延基板,该外延基板包括:基板主体;多个凸台,以阵列方式排布于基板主体上;多个接触电极,对应设置于凸台的顶部;平坦化层,覆盖于凸台和基板主体未被凸台覆盖的区域上,其中平坦化层设置有与凸台对应的第一通孔,以使得接触电极经第一通孔外露;多个焊盘,以阵列方式排布于平坦化层上,并通过第一通孔电连接至对应的接触电极,其中焊盘在基板主体上的垂直投影的面积大于接触电极在基板主体上的垂直投影的面积。本申请还公开了一种外延基板的制造方法。通过上述方式,本申请能够提高外延基板与驱动基板的对位成功率。
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