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1. WO2020087730 - H-3 SILICON CARBIDE PN-TYPE ISOTOPE BATTERY AND PREPARATION METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2020/087730
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/CN2018/123949
International Filing Date 26.12.2018
IPC
G21H 1/06 2006.01
GPHYSICS
21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
HOBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES; APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; UTILISING COSMIC RADIATION
1Arrangements for obtaining electrical energy from radioactive sources, e.g. from radioactive isotopes
06Cells wherein radiation is applied to the junction of different semiconductor materials
Applicants
  • 长安大学 CHANG'AN UNIVERSITY [CN]/[CN]
Inventors
  • 张林 ZHANG, Lin
  • 王晓艳 WANG, Xiaoyan
  • 朱礼亚 ZHU, Liya
Agents
  • 西安通大专利代理有限责任公司 XI'AN TONG DA PATENT AGENCY CO., LTD.
Priority Data
201811269908.729.10.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) H-3 SILICON CARBIDE PN-TYPE ISOTOPE BATTERY AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) BATTERIE ISOTOPIQUE DE TYPE PN EN CARBURE DE SILICIUM H-3 ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种H-3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法
Abstract
(EN)
An H-3 silicon carbide PN-type isotope battery and a preparation method therefor. The structure of the isotope battery comprises an N-type ohmic contact electrode (7), an N-type highly doped SiC substrate (1), an N-type SiC epitaxial layer (2) and a P-type SiC epitaxial layer (3); a P-type SiC ohmic contact doped region (5) is provided in a part of the upper portion of the P-type SiC epitaxial layer (3), and a P-type ohmic contact electrode (6) is provided on the top of the P-type SiC ohmic contact doped region (5); an SiO2 passivation layer (4) is provided on the area other than the P-type SiC ohmic contact doped region (5) on the P-type SiC epitaxial layer (3); and an H-3 radioisotope source (8) is provided above the SiO2 passivation layer (4). The present method implements a novel and reasonable design, and may effectively solve the problem of composite loss of irradiated carriers on the surface of H-3, which effectively improves the output power and energy conversion efficiency of the isotope battery.
(FR)
L'invention concerne une batterie isotopique de type PN en carbure de silicium H-3 et son procédé de préparation. La structure de la batterie isotopique comprend une électrode de contact ohmique de type N (7), un substrat de SiC fortement dopé de type N (1), une couche épitaxiale de SiC de type N (2) et une couche épitaxiale de SiC de type P (3) ; une région dopée de contact ohmique de SiC de type P (5) est disposée dans une partie de la zone supérieure de la couche épitaxiale de SiC de type P (3), et une électrode de contact ohmique de type P (6) est disposée sur la partie supérieure de la région dopée de contact ohmique de SiC de type P (5) ; une couche de passivation de SiO2 (4) est disposée sur la zone non occupée par la région dopée de contact ohmique de SiC de type P (5) sur la couche épitaxiale de SiC de type P (3) ; et une source de radio-isotope en H-3 (8) est disposée au-dessus de la couche de passivation de SiO2 (4). Le présent procédé met en œuvre une nouvelle conception satisfaisante, et peut résoudre efficacement le problème de perte composite de porteurs irradiés sur la surface de H-3, ce qui permet d'améliorer efficacement la puissance de sortie et la conversion énergétique de la batterie isotopique.
(ZH)
一种H-3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法,该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极(7),N型高掺杂SiC衬底(1),N型SiC外延层(2),P型SiC外延层(3),在P型SiC外延层(3)上部的部分区域设有P型SiC欧姆接触掺杂区(5),在P型SiC欧姆接触掺杂区(5)的顶部设有P型欧姆接触电极(6),在P型SiC外延层(3)上部除去P型SiC欧姆接触掺杂区(5)以外的区域设有SiO 2钝化层(4),在SiO 2钝化层(4)的上方设有H-3放射性同位素源(8)。该方法设计新颖合理,可以有效解决H-3在表面的辐照生载流子复合损耗问题,有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau