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1. WO2020087722 - METHOD FOR PREPARING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND GROWTH DEVICE THEREFOR

Publication Number WO/2020/087722
Publication Date 07.05.2020
International Application No. PCT/CN2018/123716
International Filing Date 26.12.2018
IPC
C30B 29/36 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
C30B 23/00 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
Applicants
  • 山东天岳先进材料科技有限公司 SICC CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 刘鹏飞 LIU, Pengfei
  • 刘家朋 LIU, Jiapeng
  • 李加林 LI, Jialin
  • 李长进 LI, Changjin
  • 孙元行 SUN, Yuanhang
  • 李宏刚 LI, Honggang
  • 高超 GAO, Chao
Agents
  • 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) BEIJING JUNHUI INTELLECTUAL PROPERTY AGENT OFFICE (ORDINARY PARTNERSHIP)
Priority Data
201811303461.002.11.2018CN
201811303465.902.11.2018CN
201821809551.202.11.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR PREPARING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND GROWTH DEVICE THEREFOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF DE CROISSANCE POUR CE DERNIER
(ZH) 一种碳化硅单晶的制备方法及其生长装置
Abstract
(EN)
The present application relates to a growth device for growing a silicon carbide single crystal, comprising: a raw material portion, a receiving portion and a gas flow region. The raw material portion is used to store a raw material and provide a site for heating the raw material to sublimation. The receiving portion is used to receive a product obtained after sublimation of the raw material. The raw material reaches the receiving portion via the gas flow region after being heated to sublimation. The gas flow region is provided with a condensed carbon adsorption portion used to adsorb condensed carbon formed in the gas flow region. The growth device further comprises a control portion used to adjust pressure distribution in the gas flow region. The present application achieves high homogeneity, both in terms of composition and temperature distribution, of SimCn that reaches near an upper seed crystal, so as to obtain a high quality SiC crystal having a uniform surface without small patches and polymorphs. The present application increases the driving force for driving a component from raw materials to the surface of a seed crystal.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de croissance pour la croissance d'un monocristal de carbure de silicium, comprenant : une partie de matière première, une partie de réception et une région d'écoulement de gaz. La partie de matière première est utilisée pour stocker une matière première et fournir un site pour chauffer la matière première jusqu'à sublimation. La partie de réception est utilisée pour recevoir un produit obtenu après sublimation de la matière première. La matière première atteint la partie de réception par l'intermédiaire de la région d'écoulement de gaz après avoir été chauffée jusqu'à sublimation. La région d'écoulement de gaz est pourvue d'une partie d'adsorption de carbone condensé utilisée pour adsorber le carbone condensé formé dans la région d'écoulement de gaz. Le dispositif de croissance comprend en outre une partie de commande utilisée pour régler la distribution de la pression dans la région d'écoulement de gaz. La présente invention permet d'obtenir une homogénéité élevée, tant en termes de composition que de distribution de température, d'un composé SimCn qui s'approche d'un germe cristallin supérieur, de façon à obtenir un cristal de SiC de haute qualité ayant une surface uniforme, sans zones de petites taille et sans polymorphes. La présente invention augmente la force d'entraînement pour entraîner un composé depuis des matières premières jusqu'à la surface d'un germe cristallin.
(ZH)
本申请涉及一种碳化硅单晶生长装置,包括:原料部、接收部和气相流通区域;所述原料部用于放置原料,并提供原料受热升华的场所;所述接收部用于接收原料升华后得到的产品;所述原料受热升华后经过气相流通区域到达接收部;在气相流通区域设有凝结碳吸附部,所述凝结碳吸附部用于吸附在气相流通区域形成的凝结碳;还包括控制部,所述控制部用于调节气相流通区域的压力分布。本申请使到达上部籽晶附近的SimCn不管是在组分还是温度分布上都非常均匀;得到表面均匀且无小片多型的高质量SiC晶体;本申请增加组分从原料到籽晶表面的的驱动力。
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