Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020068042 - 3D CROSS-BAR ARRAY OF NON-VOLATILE RESISTIVE MEMORY DEVICES AND AN OPERATING METHOD OF THE SAME

Publication Number WO/2020/068042
Publication Date 02.04.2020
International Application No. PCT/US2018/052495
International Filing Date 24.09.2018
IPC
G11C 13/00 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/, G11C23/, or G11C25/173
CPC
G11C 13/0023
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0023Address circuits or decoders
G11C 13/0069
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0069Writing or programming circuits or methods
G11C 2213/71
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
70Resistive array aspects
71Three dimensional array
G11C 2213/77
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
70Resistive array aspects
77Array wherein the memory element being directly connected to the bit lines and word lines without any access device being used
Applicants
  • HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US]/[US]
Inventors
  • HU, Miao
  • STRACHAN, John Paul
  • LI, Zhiyong
  • WILLIAMS, R. Stanley
Agents
  • VELEZ, Santiago
  • AGDEPPA, Hector A.
  • YANNUZZI, Daniel N.
Priority Data
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) 3D CROSS-BAR ARRAY OF NON-VOLATILE RESISTIVE MEMORY DEVICES AND AN OPERATING METHOD OF THE SAME
(FR) RÉSEAU CROSSBAR 3D DE DISPOSITIFS DE MÉMOIRE RÉSISTIVE NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT
Abstract
(EN)
A 3D cross-bar array of non-volatile resistive memory devices includes an array of pillar electrodes, an array of word lines, a plurality of memristor cells, and a plurality of insulation walls. The array of pillar electrodes is arranged in a first direction and a second direction, and each of the pillar electrodes extends in a third direction. The array of word lines is arranged in the first direction and the third direction, and each of the word lines extends in the second direction. The plurality of memristor cells is formed at cross points of the pillar electrodes and the word lines around the pillar electrodes. The plurality of insulation walls is arranged in the first direction and electrically insulating a plurality of word lines arranged in the first direction from each other, and each of the insulation walls extends in the second and third directions.
(FR)
L'invention concerne un réseau crossbar 3D de dispositifs de mémoire résistive non volatile qui comprend un réseau d'électrodes à piliers, un réseau de lignes de mots, une pluralité de cellules de memristance, et une pluralité de parois d'isolation. Le réseau d'électrodes à piliers est agencé dans une première direction et une seconde direction, et chacune des électrodes à piliers s'étend dans une troisième direction. Le réseau de lignes de mots est agencé dans la première direction et la troisième direction, et chacune des lignes de mots s'étend dans la seconde direction. La pluralité de cellules de memristance est formée au niveau de points de croisement des électrodes à piliers et des lignes de mots autour des électrodes à piliers. La pluralité de parois d'isolation est agencée dans la première direction et isolant électriquement une pluralité de lignes de mots agencées dans la première direction l'une de l'autre, et chacune des parois d'isolation s'étend dans les seconde et troisième directions.
Latest bibliographic data on file with the International Bureau