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1. WO2020065744 - SEMICONDUCTOR LASER, SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, AND SEMICONDUCTOR LASER MANUFACTURING METHOD

Publication Number WO/2020/065744
Publication Date 02.04.2020
International Application No. PCT/JP2018/035549
International Filing Date 26.09.2018
IPC
H01S 5/12 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feed-back  lasers
H01S 5/026 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors or drivers
CPC
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
H01S 5/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feed-back [DFB] lasers
Applicants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 外間 洋平 HOKAMA, Yohei
  • 鈴木 洋介 SUZUKI, Yosuke
Agents
  • 村上 加奈子 MURAKAMI, Kanako
  • 松井 重明 MATSUI, Jumei
  • 倉谷 泰孝 KURATANI, Yasutaka
Priority Data
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR LASER, SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, AND SEMICONDUCTOR LASER MANUFACTURING METHOD
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR, RÉSEAU DE LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ、半導体レーザアレイおよび半導体レーザの製造方法
Abstract
(EN)
Provided is a semiconductor laser integrated with a photodiode portion for monitoring an optical output. The semiconductor laser 100 is provided with: a DFB portion in which a back-side first cladding layer 3, a first diffraction grating layer 9, a light-emitting layer 1 composed of a first MQW structure and emitting laser light, a front-side first cladding layer 6, and a first contact layer 12 are stacked; a DBR portion in which a back-side second cladding layer 4 having a resistivity higher than that of the back-side first cladding layer 3, a second diffraction grating layer 10 which reflects part of the laser light back to the DFB portion, a first core layer 2a which guides the rest of the laser light and is composed of a second MQW structure having an effective bandgap energy smaller than that of the first MQW structure, and a front-side second cladding layer 7 having a resistivity higher than that of the front-side first cladding layer 6 are stacked; and a PD portion in which a back-side third cladding layer 5, a second core layer 2b composed of a second MQW structure which absorbs the rest of the laser light guided by the first core layer 2a, a front-side third cladding layer 8, and a second contact layer 14 are stacked.
(FR)
L'invention concerne un laser à semi-conducteur intégré avec une partie de photodiode pour surveiller une sortie optique. Le laser à semi-conducteur 100 comporte : une partie DFB dans laquelle une première couche de gainage côté arrière 3, une première couche de réseau de diffraction 9, une couche électroluminescente 1 composée d'une première structure MQW et émettant une lumière laser, une première couche de gainage côté avant 6, et une première couche de contact 12 sont empilées ; une partie DBR dans laquelle une deuxieme couche de gainage côté arrière 4 ayant une résistivité supérieure à celle de la première couche de gainage côté arrière 3, une seconde couche de réseau de diffraction 10 qui réfléchit une partie de la lumière laser vers la partie DFB, une première couche centrale 2a qui guide le reste de la lumière laser et est composée d'une seconde structure MQW ayant une énergie de bande interdite efficace inférieure à celle de la première structure MQW, et une deuxieme couche de gainage côté avant ayant une résistivité supérieure à celle de la première couche de gainage côté avant sont empilées ; et une partie PD dans laquelle une troisième couche de gainage côté arrière 5, une seconde couche centrale 2b composée d'une seconde structure MQW qui absorbe le reste de la lumière laser guidée par la première couche centrale 2a, une troisième couche de gainage côté avant 8, et une seconde couche de contact 14 sont empilées.
(JA)
光出力をモニタするフォトダイオード部が集積された半導体レーザを提供する。 半導体レーザ100は、裏面側第1クラッド層3、第1回折格子層9、第1のMQW構造からなりレーザ光を発する発光層1、表面側第1クラッド層6、および第1コンタクト層12が積層されたDFB部と、裏面側第1クラッド層3より抵抗率が高い裏面側第2クラッド層4、レーザ光の一部をDFB部に反射する第2回折格子層10、レーザ光の残部を導波し、第1のMQW構造より実効的バンドギャップエネルギーが小さい第2のMQW構造からなる第1コア層2a、および表面側第1クラッド層6より抵抗率が高い表面側第2クラッド層7が積層されたDBR部と、裏面側第3クラッド層5、第1コア層2aにより導波されたレーザ光の残部を吸収する第2のMQW構造からなる第2コア層2b、表面側第3クラッド層8、および第2コンタクト層14が積層されたPD部とを備える。
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