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1. WO2020063429 - AIR INLET APPARATUS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE

Publication Number WO/2020/063429
Publication Date 02.04.2020
International Application No. PCT/CN2019/106581
International Filing Date 19.09.2019
IPC
C23C 16/455 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition (CVD) processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into the reaction chamber or for modifying gas flows in the reaction chamber
CPC
C23C 16/455
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Applicants
  • 北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 魏景峰 WEI, Jingfeng
  • 荣延栋 RONG, Yandong
  • 傅新宇 FU, Xinyu
Agents
  • 北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS
Priority Data
201811149950.529.09.2018CN
201821602949.929.09.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) AIR INLET APPARATUS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS AND ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE
(FR) APPAREIL D'ENTRÉE D'AIR POUR PROCESSUS DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE ET DISPOSITIF DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
(ZH) 用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积设备
Abstract
(EN)
Disclosed in embodiments of the present invention are an air inlet apparatus for an atomic layer deposition process and an atomic layer deposition device. The air inlet apparatus comprises an air inlet body. At least two cavities, air inlet channels, and at least two air distribution channels are provided in the air inlet body, wherein the at least two cavities are isolated from each other, each cavity has an air inlet, and the air inlet is connected to a precursor pipeline, each air distribution channel is used for communicating the cavities with the air inlet channels in one-to-one correspondence, and the air inlet channel is communicated with a process chamber. The technical solutions of the air inlet apparatus for an atomic layer deposition process and the atomic layer deposition device provided by the present invention can avoid different precursors from mixing to carry out the chemical reaction due to share of a buffer chamber, so that sediment particles formed by reacting in the air inlet apparatus can be effectively reduced, failure of the air inlet apparatus is avoided, the preliminary air distribution effect can be improved, and the maintenance period is prolonged.
(FR)
Des modes de réalisation de la présente invention concernent un appareil d'entrée d'air pour un processus de dépôt de couche atomique et un dispositif de dépôt de couche atomique. L'appareil d'entrée d'air comprend un corps d'entrée d'air. Au moins deux cavités, des canaux d'entrée d'air et au moins deux canaux de distribution d'air se trouvent dans le corps d'entrée d'air. Lesdites cavités sont isolées l'une de l'autre, chaque cavité comporte une entrée d'air et l'entrée d'air est reliée à une conduite de précurseur. Chaque canal de distribution d'air est utilisé pour faire communiquer les cavités avec les canaux d'entrée d'air selon une correspondance bijective, et le canal d'entrée d'air est en communication avec une chambre de processus. Les solutions techniques de l'appareil d'entrée d'air pour un processus de dépôt de couche atomique et le dispositif de dépôt de couche atomique selon la présente invention peuvent éviter que différents précurseurs ne se mélangent pour réaliser la réaction chimique, en raison du partage d'une même chambre tampon, ce qui permet de réduire efficacement des particules de sédiment formées par réaction dans l'appareil d'entrée d'air, d'éviter une défaillance de l'appareil d'entrée d'air, d'améliorer l'effet de distribution d'air préliminaire, et de prolonger l'intervalle d'entretien.
(ZH)
本发明实施例公开了一种用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积设备,该装置包括进气本体,在该进气本体中设置有至少两个空腔、进气通道及至少两个匀气通道,其中,至少两个空腔均相互隔离,每个空腔均具有进气口,该进气口用于与前驱物管路连接;各个匀气通道用于一一对应地将各个空腔与进气通道连通;进气通道用于与工艺腔室连通。本发明提供的用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积设备的技术方案,可以避免因共用缓冲腔而出现不同前驱物混合发生化学反应,进而可以有效减少在进气装置中反应形成的沉积物颗粒,避免进气装置失效,同时还可以改善初步匀气效果,延长维护周期。
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