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1. WO2020062349 - PRESSURE SENSOR AND PREPARATION METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2020/062349
Publication Date 02.04.2020
International Application No. PCT/CN2018/110438
International Filing Date 16.10.2018
IPC
G01L 1/16 2006.01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1Measuring force or stress, in general
16using properties of piezo-electric devices
CPC
G01L 1/16
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1Measuring force or stress, in general
16using properties of piezo-electric devices
Applicants
  • 中国电子科技集团公司第十三研究所 THE 13TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION [CN]/[CN]
Inventors
  • 吕元杰 LV, Yuanjie
  • 宋旭波 SONG, Xubo
  • 谭鑫 TAN, Xin
  • 韩婷婷 HAN, Tingting
  • 周幸叶 ZHOU, Xingye
  • 冯志红 FENG, Zhihong
  • 梁士雄 LIANG, Shixiong
Agents
  • 石家庄国为知识产权事务所 SHIJIAZHUANG GOWELL INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM
Priority Data
201811119704.525.09.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) PRESSURE SENSOR AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) CAPTEUR DE PRESSION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 压力传感器及其制备方法
Abstract
(EN)
A pressure sensor, comprising silicon substrate layers (1), a GaN epitaxial layer (2), pressure test circuits (4), circuit pins (5), and dielectric layers (3); wherein the GaN epitaxial layer (2) is formed on the silicon substrate layer (1) by epitaxial growth; a detection area is provided on the GaN epitaxial layer (2); the pressure test circuit (4) is located in the detection area on the GaN epitaxial layer (2); the circuit pin (5) is located outside the detection area on the GaN epitaxial layer (2); the dielectric layer (3) is formed on the GaN epitaxial layer (2) by deposition, and covers the pressure test circuit (4); a through hole (6) is provided in the silicon substrate layer (1); the cross section of the through hole (6) is the same as the shape of the detection area; and the through hole (6) corresponds to the detection area. The thickness of the dielectric layer (3) influences the range of the pressure sensor; the range of the pressure sensor can be adjusted by changing the thickness of the dielectric layer (3); and thus, the range control difficulty of the pressure sensor is reduced.
(FR)
La présente invention concerne un capteur de pression comprenant des couches de substrat de silicium (1), une couche épitaxiale de GaN (2), des circuits de test de pression (4), des broches de circuit (5) et des couches diélectriques (3); la couche épitaxiale de GaN (2) est formée sur la couche de substrat de silicium (1) par croissance épitaxiale; une zone de détection est prévue sur la couche épitaxiale de GaN (2); le circuit de test de pression (4) est situé dans la zone de détection sur la couche épitaxiale de GaN (2); la broche de circuit (5) est située à l'extérieur de la zone de détection sur la couche épitaxiale de GaN (2); la couche diélectrique (3) est formée sur la couche épitaxiale de GaN (2) par dépôt et recouvre le circuit de test de pression (4); un trou traversant (6) est situé dans la couche de substrat de silicium (1); la section transversale du trou traversant (6) est identique à la forme de la zone de détection; et le trou traversant (6) correspond à la zone de détection. L'épaisseur de la couche diélectrique (3) influence la plage du capteur de pression; la plage du capteur de pression peut être ajustée en changeant l'épaisseur de la couche diélectrique (3); ainsi, la difficulté de commande de plage du capteur de pression est réduite.
(ZH)
一种压力传感器,包括硅衬底层(1)、GaN外延层(2)、压力测试电路(4)、电路引脚(5)和介质层(3);GaN外延层(2)在硅衬底层(1)上外延生长而成,GaN外延层(2)上设有检测区,压力测试电路(4)位于GaN外延层(2)上的检测区内,电路引脚(5)位于GaN外延层(2)上的检测区外,介质层(3)在GaN外延层(2)上沉积而成并覆盖压力测试电路(4);硅衬底层(1)设有通孔(6),通孔(6)的横截面和检测区形状相同,通孔(6)和检测区相对应。介质层(3)的厚度影响压力传感器量程,通过改变介质层(3)的厚度可以对压力传感器量程进行调节,降低了压力传感器量程控制难度。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau