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1. WO2020056705 - INTEGRATED CIRCUIT

Publication Number WO/2020/056705
Publication Date 26.03.2020
International Application No. PCT/CN2018/106863
International Filing Date 21.09.2018
IPC
H01L 23/522 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
Applicants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区坂田华为总部办公楼 Huawei Administration Building Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors
  • 邹小卫 ZOU, Xiaowei; CN
  • 郑伟 ZHENG, Wei; CN
  • 吴春蕾 WU, Chunlei; CN
Agents
  • 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) SHENPAT INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; 中国广东省深圳市罗湖区南湖街道春风路庐山大厦B座18C2、18D、18E、18E2 18C2, 18D, 18E, 18E2 Block B, Lushan Building Chunfeng Road, Nanhu Street, Luohu District Shenzhen, Guangdong 518001, CN
Priority Data
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ
(ZH) 一种集成电路
Abstract
(EN)
An integrated circuit. The integrated circuit comprises a capacitor structure comprising multiple metal strip arrays provided at multiple metal layers. Each metal strip array comprises multiple metal strips (P1-P5, V1-V5) extending in the same direction. The metal strips (P1-P5, V1-V5) in each metal strip array include first-electrode metal strips and second-electrode metal strips. The first-electrode metal strips and the second-electrode metal strips are respectively electrically connected to different electrodes (E1, E2) so as to generate a lateral capacitance at the same metal layer. The metal strips in each metal strip array at each metal layer extend in a direction different from an extension direction of the metal strips in the metal strip array at the adjacent metal layer. A longitudinal capacitance can be generated between the first-electrode metal strip and the second-electrode metal strip which are located at two adjacent metal layers and projections thereof on a plane where the metal layers are located overlap. The capacitor structure achieves a higher capacitance density and has higher capacitance quality.
(FR)
L'invention concerne un circuit intégré. Le circuit intégré comprend une structure de condensateurs comprenant plusieurs barrettes de bandes de métal disposées au niveau de plusieurs couches de métal. Chaque barrette de bandes de métal comprend plusieurs bandes de métal (P1-P5, V1-V5) s'étendant dans la même direction. Les bandes de métal (P1-P5, V1-V5) dans chaque barrette de bandes de métal incluent des bandes de métal de premières électrodes et des bandes de métal de deuxièmes électrodes. Les bandes de métal de premières électrodes et les bandes de métal de deuxièmes électrodes sont respectivement connectées électriquement à différentes électrodes (E1, E2) afin de générer une capacité latérale au niveau de la même couche de métal. Les bandes de métal dans chaque barrette de bandes de métal au niveau de chaque couche de métal s'étendent dans une direction différente d'une direction d'extension des bandes de métal dans la barrette de bandes de métal au niveau de la couche de métal adjacente. Une capacité longitudinale peut être générée entre la bande de métal de première électrode et la bande de métal de deuxième électrode qui sont situées au niveau de deux couches de métal adjacentes et leurs projections sur un plan où sont situées les couches de métal se superposent. La structure de condensateurs permet d'obtenir une densité de capacité supérieure et a une qualité de capacité supérieure.
(ZH)
一种集成电路,该集成电路包括电容结构,所述电容结构包括设置在多层金属层上的多个金属条阵列,每金属条阵列中包括多个沿相同方向延伸的金属条(P1-P5,V1-V5),每个金属条阵列中的金属条(P1-P5,V1-V5)包括第一极金属条和第二极金属条,且第一极金属条和第二极金属条分别电连接不同的电极(E1,E2),如此,在同层金属层上可以形成横向电容。另外,每层金属层上的金属条阵列中的金属条的延伸方向与相邻金属层上的金属阵列中的金属条的延伸方向不同,因而,位于相邻两层金属层上的、在金属层所在平面上的投影有交叠的第一极金属条和第二极金属条之间也可以形成纵向电容。因而,该电容结构的电容密度较大,电容品质较高。
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