Processing

Please wait...

Settings

Settings

1. WO2020008933 - ETCHING METHOD, AND SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS

Publication Number WO/2020/008933
Publication Date 09.01.2020
International Application No. PCT/JP2019/024947
International Filing Date 24.06.2019
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30
Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302
to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
306
Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065
Plasma etching; Reactive-ion etching
H ELECTRICITY
05
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H
PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY- CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
1
Generating plasma; Handling plasma
24
Generating plasma
46
using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
H01L 21/3065 (2006.01)
H05H 1/46 (2006.01)
CPC
H01L 21/3065
H05H 1/46
Applicants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventors
  • 及川 翔 OIKAWA, Sho; JP
  • 石田 和香子 ISHIDA, Wakako; JP
Agents
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Priority Data
2018-12781604.07.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) ETCHING METHOD, AND SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) エッチング方法及び基板処理装置
Abstract
(EN)
Provided is an etching method performed in a substrate-processing apparatus having: a first electrode on which a substrate is placed; and a second electrode facing the first electrode, the method comprising: a first step for introducing a first gas and halfway etching a target film into a pattern of a predetermined film on the target film formed on the substrate; a second step for introducing a second gas including Ar gas, H2 gas, and deposition gas and applying DC voltage to the second electrode to form a protective film, the second step being performed after the first step; and a third step for introducing a third gas and etching the target film, the third step being performed after the step for forming the protective film.
(FR)
L'invention concerne un procédé de gravure réalisé dans un appareil de traitement de substrat comprenant : une première électrode sur laquelle un substrat est placé ; et une seconde électrode faisant face à la première électrode, le procédé comprenant : une première étape consistant à introduire un premier gaz et à graver à mi-chemin un film cible en un motif d'un film prédéterminé sur le film cible formé sur le substrat ; une deuxiéme étape consistant à introduire un second gaz comprenant du gaz Ar, du gaz H2, et un gaz de dépôt et à appliquer une tension continue à la seconde électrode pour former un film de protection, la deuxième étape étant réalisée après la première étape ; et une troisième étape d'introduction d'un troisième gaz et de gravure du film cible, la troisième étape étant réalisée après l'étape de formation du film de protection.
(JA)
基板を載置する第1の電極と、前記第1の電極に対向する第2の電極とを有する基板処理装置におけるエッチング方法であって、第1のガスを導入し、基板に形成された対象膜上の所定膜のパターンに該対象膜を途中までエッチングする第1の工程と、前記第1の工程を実行した後にArガスとHガスと堆積性のガスとを含む第2のガスを導入し、前記第2の電極に直流電圧を印加し、保護膜を形成する第2の工程と、前記保護膜を形成する工程を実行した後に第3のガスを導入し、前記対象膜をエッチングする第3の工程と、を有する、エッチング方法が提供される。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau