Processing

Please wait...

Settings

Settings

1. WO2020008318 - INRUSH LIMITER FOR BIDIRECTIONAL SOLID STATE SWITCHES

Publication Number WO/2020/008318
Publication Date 09.01.2020
International Application No. PCT/IB2019/055525
International Filing Date 28.06.2019
IPC
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
H
EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
9
Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
H02H 9/00 (2006.01)
CPC
H02H 1/0007
H02H 9/001
H02H 9/002
H03K 17/08128
Applicants
  • TE CONNECTIVITY CORPORATION [US/US]; 1050 Westlakes Drive Berwyn, Pennsylvania 19312, US
Inventors
  • MISHRIKEY, Matthew D.; US
  • WAHL, III, Frank Peter; US
Agents
  • STROUD, Adam L.; US
Priority Data
16/028,63006.07.2018US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) INRUSH LIMITER FOR BIDIRECTIONAL SOLID STATE SWITCHES
(FR) LIMITEUR D'APPEL DE COURANT POUR COMMUTATEURS À SEMI-CONDUCTEUR BIDIRECTIONNELS
Abstract
(EN)
A bidirectional switch and a method of the bidirectional switch including, a first enhancement mode n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (n-MOSFET) and a second n-MOSFET electrically connected in a common source configuration. The emitter of an insulated gate bipolar transistor (IGBT) is further electrically connected to the common sources of the n-MOSFET. A control board regulates a first operation of the IGBT and an operation of the first field effect transistor. The control board additionally receives at least one measured characteristic, from a sensor and determines the measured characteristic is below a predetermined threshold. The control board then regulates an operation of the second field effect transistor and a second operation of the IGBT.
(FR)
Un commutateur bidirectionnel et un procédé du commutateur bidirectionnel comprennent un premier transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique à canal n (n-MOSFET) à mode d'amélioration et un second n-MOSFET connectés électriquement dans une configuration de source commune. L'émetteur d'un transistor bipolaire à porte isolée (IGBT) est en outre connecté électriquement aux sources communes du n-MOSFET. Une carte de commande régule une première opération de l'IGBT et une opération du premier transistor à effet de champ. La carte de commande reçoit en outre au moins une caractéristique mesurée, à partir d'un capteur et détermine si la caractéristique mesurée est inférieure à un seuil prédéterminé. La carte de commande régule ensuite une opération du second transistor à effet de champ et une seconde opération de l'IGBT.
Latest bibliographic data on file with the International Bureau