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1. WO2020007376 - SEMICONDUCTOR MEMORY

Publication Number WO/2020/007376
Publication Date 09.01.2020
International Application No. PCT/CN2019/099649
International Filing Date 07.08.2019
IPC
[IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!]
H01L 27/11568 (2017.01)
CPC
H01L 27/11568
H01L 27/11573
Applicants
  • 成都皮兆永存科技有限公司 CHENGDU PBM TECHNOLOGY LTD. [CN/CN]; 中国四川省成都市 高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号联系人:彭泽忠 Linkman:Jack Zezhong Peng Room 3, Floor 11, Unit 1, Building 5, No.399, West of Fucheng Road, Hi-tech District Chengdu, Sichuan 610041, CN
Inventors
  • 彭泽忠 PENG, Jack Zezhong; US
Agents
  • 成都惠迪专利事务所(普通合伙) CHENGDU HUIDI PATENT LAW OFFICE (GENERAL PARTNERSHIP); 中国四川省成都市 武侯区洗面桥街39号1栋1902室联系人:刘勋 Linkman: LIU, Xun Room 1902, Building 1, No.35 Ximianqiao Road, Wuhou District Chengdu, Sichuan 610041, CN
Priority Data
201810736865.206.07.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR MEMORY
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(ZH) 半导体存储器
Abstract
(EN)
A semiconductor memory, relating to the technology of memories. The present invention comprises: at least two conductive strip layers, each conductive strip layer comprising at least 3 conductive strips arranged in parallel; vertical posts arranged in a same layer and between two adjacent conductive strips, the included angle between the axis of a vertical post and the axis of a conductive strip being greater than 30°; storage units are provided at where the vertical posts and the conductive strips intersect, and a storage unit comprises a first conductive type region, a second conductive type region, and an insulating medium region arranged between the first conductive type region and the second conductive type region; a vertical post conductive region is provided along the axial direction of a vertical post, and the vertical post conductive region forms an electrical connection with the first conductive type region of the storage unit; a conductive material region is provided along the axis of a conductive strip, and the conductive material region forms an electrical connection with the second conductive type region of the storage unit. The present invention has high storage density, low cost, and high reliability.
(FR)
L'invention concerne une mémoire à semi-conducteurs se rapportant à la technologie des mémoires. L’invention comprend : au moins deux couches de bande conductrice, chaque couche de bande conductrice comprenant au moins 3 bandes conductrices disposées en parallèle ; des montants verticaux disposés dans une même couche et entre deux bandes conductrices adjacentes, l'angle inclus entre l'axe d'un montant vertical et l'axe d'une bande conductrice étant supérieur à 30°; des unités de stockage qui sont disposées à l'endroit où se croisent les montants verticaux et les bandes conductrices, une unité de stockage comprenant une première zone de type conducteur, une seconde zone de type conducteur et une zone de milieu isolant disposée entre la première zone de type conducteur et la seconde zone de type conducteur ; une zone conductrice de montant vertical disposée le long de la direction axiale d'un montant vertical, la zone conductrice de montant vertical formant une connexion électrique avec la première zone de type conducteur de l'unité de stockage ; et une zone de matériau conducteur disposée le long de l'axe d'une bande conductrice, la zone de matériau conducteur formant une connexion électrique avec la seconde zone de type conducteur de l'unité de stockage. L'invention offre une densité de stockage élevée, de faibles coûts et une fiabilité élevée.
(ZH)
半导体存储器,涉及存储器技术。本发明包括:至少两个导电条层,每个导电条层包括至少3条并列的导电条;设置于同层且相邻两个导电条之间的立柱,立柱的轴线与导电条的轴线的夹角大于30°;在立柱和导电条交叉处设置有存储单元,所述存储单元包括第一导电类型区、第二导电类型区和设置于第一导电类型区与第二导电类型区之间的绝缘介质区;立柱沿其轴线方向设置有立柱导电区,立柱导电区与存储单元的第一导电类型区形成电连接;导电条沿其轴线设置有导电材料区,导电材料区与存储单元的第二导电类型区形成电连接。本发明具有存储密度高,成本低,可靠性高的特点。
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