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1. WO2020006209 - RESISTIVE MEMORY CELLS CONTROL AND OPERATIONS

Publication Number WO/2020/006209
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/US2019/039469
International Filing Date 27.06.2019
IPC
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
13
Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/, G11C23/, or G11C25/173
G11C 13/00 (2006.01)
CPC
G11C 13/0023
G11C 13/004
G11C 13/0061
G11C 13/0069
G11C 2213/79
G11C 7/06
Applicants
  • INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors
  • JAIN, Pulkit; US
  • ARSLAN, Umut; US
  • HAMZAOGLU, Fatih; US
Agents
  • PERDOK, Monique M.; US
  • BEEKMAN, Marvin L., Reg. No. 38,377; US
  • MCCRACKIN, Ann M., Reg. No. 42,858; US
  • BIANCHI, Timothy E., Reg. No. 39,610; US
  • ARORA, Suneel, Reg. No. 42,267; US
  • SCHEER, Bradley W., Reg. No. 47,059; US
  • BLACK, David W., Reg. No. 42,331; US
  • LANG, Roger, Reg. No. 58,829; US
Priority Data
16/023,72829.06.2018US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) RESISTIVE MEMORY CELLS CONTROL AND OPERATIONS
(FR) OPÉRATIONS ET COMMANDE DE CELLULES DE MÉMOIRE RÉSISTIVE
Abstract
(EN)
Some embodiments include apparatuses having a resistive memory device and methods to apply a combination of voltage stepping, current stepping, and pulse width stepping during an operation of changing a resistance of a memory cell of the resistive memory device. The apparatuses also include a write termination circuit to limit drive current provided to a memory cell of the resistive memory device during a particular time of an operation performed on the memory cell. The apparatuses further include a programmable variable resistor and resistor control circuit that operate during sensing operation of the memory device.
(FR)
Selon certains modes de réalisation, l'invention concerne des appareils comprenant un dispositif de mémoire résistive et des procédés pour appliquer une combinaison de pas de tension, de pas de courant, et de pas de largeur d'impulsion au cours d'une opération de changement de résistance d'une cellule de mémoire du dispositif de mémoire résistive. Les appareils comprennent également un circuit de terminaison d'écriture pour limiter le courant d'attaque fourni à une cellule de mémoire du dispositif de mémoire résistive pendant un moment particulier d'une opération effectuée sur la cellule de mémoire. Les appareils comprennent en outre une résistance variable programmable et un circuit de commande de résistance qui fonctionnent pendant l'opération de détection du dispositif de mémoire.
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