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1. WO2020005709 - ADJUSTABLE VOLTAGE DROP DETECTION THRESHOLD IN A MEMORY DEVICE

Publication Number WO/2020/005709
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/US2019/038241
International Filing Date 20.06.2019
IPC
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
5
Details of stores covered by group G11C11/63
14
Power supply arrangements
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
30
Power supply circuits
G11C 5/14 (2006.01)
G11C 16/30 (2006.01)
CPC
G11C 16/0483
G11C 16/30
G11C 2029/0409
G11C 2029/5004
G11C 29/028
G11C 29/42
Applicants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventors
  • CARIELLO, Giuseppe; US
Agents
  • PERDOK, Monique M.; US
  • ARORA, Suneel; US
  • BEEKMAN, Marvin; US
  • BLACK, David W.; US
  • LANG, Roger; US
  • SCHEER, Bradley W.; US
Priority Data
16/017,31525.06.2018US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) ADJUSTABLE VOLTAGE DROP DETECTION THRESHOLD IN A MEMORY DEVICE
(FR) SEUIL DE DÉTECTION DE CHUTE DE TENSION RÉGLABLE DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Abstract
(EN)
Devices and techniques for an adjustable voltage drop detection threshold in a memory device are disclosed herein. A voltage drop detection threshold of a memory device is dynamically established. A power loss event is triggered when the supply voltage falls below the voltage drop detection threshold. An error parameter associated with performing multiple memory operations on the memory device is collected. The multiple memory operations are performed while applying a supply voltage at a second supply voltage level of the memory device which is less than a first supply voltage level established as a first operating voltage for the memory device. Determining whether the error parameter is below an allowable error threshold. In response to determining that the error parameter is below the allowable error threshold, the voltage drop detection threshold is established at a voltage level less than the first supply voltage level.
(FR)
L'invention concerne des dispositifs et des techniques destinés à un seuil de détection de chute de tension réglable dans un dispositif de mémoire. Un seuil de détection de chute de tension d'un dispositif de mémoire est établi de manière dynamique. Un événement de perte de puissance est déclenché lorsque la tension d'alimentation chute au-dessous du seuil de détection de chute de tension. Un paramètre d'erreur associé à la réalisation de multiples opérations de mémoire sur le dispositif de mémoire est collecté. Les multiples opérations de mémoire sont réalisées tout en appliquant une tension d'alimentation à un second niveau de tension d'alimentation du dispositif de mémoire qui est inférieur à un premier niveau de tension d'alimentation établi en tant que première tension de fonctionnement pour le dispositif de mémoire. Déterminer si le paramètre d'erreur est inférieur à un seuil d'erreur admissible. En réponse à la détermination du fait que le paramètre d'erreur est inférieur au seuil d'erreur admissible, le seuil de détection de chute de tension est établi à un niveau de tension inférieur au premier niveau de tension d'alimentation.
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