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1. WO2020005335 - THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING MULTILEVEL DRAIN SELECT GATE ISOLATION AND METHODS OF MAKING THE SAME

Publication Number WO/2020/005335
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/US2019/020127
International Filing Date 28.02.2019
IPC
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H01L 27/11551 (2017.01)
H01L 27/11578 (2017.01)
H01L 27/11529 (2017.01)
H01L 27/11568 (2017.01)
CPC
H01L 27/11529
H01L 27/11551
H01L 27/11568
H01L 27/11578
Applicants
  • SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 5080 Spectrum Drive Suite 1050W Addison, Texas 75001, US
Inventors
  • NISHIKAWA, Masatoshi; US
  • YADA, Shinsuke; US
  • ZHANG, Yanli; US
Agents
  • RADOMSKY, Leon; US
  • COHN, Joanna; US
  • CONNOR, David; US
  • GAYOSO, Tony; US
  • NORRIS, Christine; US
  • GILL, Matthew; US
  • GREGORY, Shaun; US
  • GUNNELS, Zarema; US
  • HANSEN, Robert; US
  • HUANG, Stephen; US
  • HYAMS, David; US
  • JOHNSON, Timothy; US
  • MAZAHERY, Benjamin; US
  • MURPHY, Timothy; US
  • O'BRIEN, Michelle; US
  • PARK, Byeongju; US
  • RUTT, Steven; US
  • SULSKY, Martin; US
Priority Data
16/019,82127.06.2018US
16/019,85627.06.2018US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING MULTILEVEL DRAIN SELECT GATE ISOLATION AND METHODS OF MAKING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL CONTENANT UNE ISOLATION DE GRILLE DE SÉLECTION DE DRAIN ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ASSOCIÉS
Abstract
(EN)
A three-dimensional memory device includes an alternating stack of insulating layers and word-line-level electrically conductive layers located over a substrate, and a drain-select-level electrically conductive layer located over the alternating stack. Memory stack structures extend through the alternating stack and the drain-select-level electrically conductive layer. Dielectric divider structures including a respective pair of straight sidewalls and drain-select-level isolation structures including a respective pair of sidewalls that include a respective set of concave vertical sidewall segments divide the drain-select-level electrically conductive layer into multiple strips. The drain-select-level electrically conductive layer and the drain-select-level isolation structures are formed by replacement of a drain-select-level sacrificial material layer with a conductive material and by replacement of drain-select-level sacrificial line structures with dielectric material portions.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnel comprenant un empilement alterné de couches d'isolation et de couches électroconductrices de niveau de ligne de mots situées sur un substrat, et une couche électroconductrice de niveau de sélection de drain située sur l'empilement alterné. Des structures d'empilement de mémoire s’étendent à travers l'empilement alterné et la couche électroconductrice de niveau de sélection de drain. Des structures de séparation diélectrique comprenant une paire respective de parois latérales droites et de structures d'isolation de niveau de sélection de drain comprenant une paire respective de parois latérales qui comprennent un ensemble respectif de segments de paroi latérale verticaux concaves divisent la couche électroconductrice de niveau de sélection de drain en de multiples bandes. La couche électroconductrice de niveau de sélection de drain et les structures d'isolation de niveau de sélection de drain sont formées par remplacement d'une couche de matériau sacrificiel de niveau de sélection de drain avec un matériau conducteur et par remplacement de structures de ligne sacrificielle de niveau de sélection de drain avec des parties de matériau diélectrique.
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