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1. WO2020005006 - SURFACE-EMITTING LASER DEVICE AND LIGHT-EMITTING DEVICE COMPRISING SAME

Publication Number WO/2020/005006
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/KR2019/007880
International Filing Date 28.06.2019
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
30
Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32
comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- hetero-structures
323
in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
18
Surface-emitting lasers (SE-lasers)
[IPC code unknown for F21S 41/16]
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
18
Surface-emitting lasers (SE-lasers)
183
having a vertical cavity (VCSE-lasers)
[IPC code unknown for F21Y 115/30]
H01S 5/323 (2006.01)
H01S 5/18 (2006.01)
F21S 41/16 (2018.01)
H01S 5/183 (2006.01)
F21Y 115/30 (2016.01)
CPC
F21S 41/16
H01S 5/18
H01S 5/183
H01S 5/323
Applicants
  • 엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 강서구 마곡중앙10로 30 30, Magokjungang 10-ro, Gangseo-gu, Seoul 07796, KR
Inventors
  • 이정식 LEE, Jeong Sik; KR
  • 한상헌 HAN, Sang Heon; KR
  • 박근욱 PARK, Keun Uk; KR
  • 윤여제 YOON, Yeo Jae; KR
Agents
  • 허용록 HAW, Yong Noke; KR
Priority Data
10-2018-007586829.06.2018KR
10-2018-008161313.07.2018KR
10-2018-008831330.07.2018KR
Publication Language Korean (KO)
Filing Language Korean (KO)
Designated States
Title
(EN) SURFACE-EMITTING LASER DEVICE AND LIGHT-EMITTING DEVICE COMPRISING SAME
(FR) DISPOSITIF LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT COMPRENANT CE DERNIER
(KO) 표면발광 레이저소자 및 이를 포함하는 발광장치
Abstract
(EN)
An embodiment relates to a surface-emitting laser device and a light-emitting device including same. A surface-emitting laser device according to the embodiment can include: a first reflective layer; an active area disposed on the first reflective layer; an aperture area disposed on the active area; and a second reflective layer disposed on the aperture area. The second reflective layer can include: a first AlGaAs-based layer comprising Alx1Ga(1-x1)As (wherein 0x2Ga(1-x2)As (wherein 0.8x3Ga(1-x3)As (wherein 0x4Ga(1-x4)As (wherein 0.8(FR)
La présente invention se rapporte, selon un mode de réalisation, à un dispositif laser à émission par la surface et à un dispositif électroluminescent comprenant ce dernier. Un dispositif laser à émission par la surface selon le mode de réalisation peut comprendre : une première couche réfléchissante; une zone active disposée sur la première couche réfléchissante; une zone d'ouverture disposée sur la zone active; et une seconde couche réfléchissante disposée sur la zone d'ouverture. La seconde couche réfléchissante peut comprendre : une première couche à base d'AlGaAs comprenant Alx1Ga(1-x1)As (dans laquelle 0x2Ga(1 - x2)As (dans laquelle 0,8 < X2 < 1,0); et une zone de transition à base d'AlGaAs disposée entre la première couche à base d'AlGaAs et la deuxième couche à base d'AlGaAs. La zone de transition à base d'AlGaAs peut comprendre : une troisième couche à base d'AlGaAs comprenant Alx3Ga(1 - x3)As (dans laquelle 0 < X3 < 0,2); et une quatrième couche à base d'AlGaAs comprenant Alx4Ga(1 - x4)As (dans laquelle 0,8 < X4 < 1,0).
(KO)
실시예는 표면발광 레이저소자 및 이를 포함하는 발광장치에 관한 것이다. 실시예에 따른 표면발광 레이저소자는, 제1 반사층과, 상기 제1 반사층 상에 배치되는 활성영역과, 상기 활성영역 상에 배치되는 애퍼처 영역 및 상기 애퍼처 영역 상에 배치되는 제2 반사층을 포함할 수 있다. 상기 제2 반사층은, Alx1Ga(1-x1)As(단, 0x2Ga(1-x2)As(단, 0.8x3Ga(1-x3)As(단, 0x4Ga(1-x4)As(단, 0.8
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