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1. WO2020004566 - BASE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Publication Number WO/2020/004566
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/JP2019/025657
International Filing Date 27.06.2019
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
02
Containers; Seals
H01L 23/02 (2006.01)
CPC
H01L 23/02
Applicants
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
Inventors
  • 木村 貴幸 KIMURA,Takayuki; JP
  • 増田 久樹 MASUDA,Hisaki; JP
  • 大山 隆行 OHYAMA,Takayuki; JP
  • 田中 裕子 TANAKA,Yuko; JP
  • 上村 吉弘 UEMURA,Yoshihiro; JP
  • 三浦 浩之 MIURA,Hiroyuki; JP
Priority Data
2018-12310528.06.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) BASE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) BASE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基体および半導体装置
Abstract
(EN)
The base according to an embodiment of the present invention is provided with a substrate, a first film, a first layer, and a second film. The substrate has a first elastic modulus. The first film is located on the upper surface of the substrate. The first layer is located on the lower surface of the substrate, has a second elastic modulus that is lower than the first elastic modulus, and has a first thermal expansion coefficient. The second film is located on the lower surface of the first layer, includes the same material as the first film, and has a second thermal expansion coefficient that is less than the first thermal expansion coefficient.
(FR)
La base selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un substrat, un premier film, une première couche et un second film. Le substrat présente un premier module d'élasticité. Le premier film est situé sur la surface supérieure du substrat. La première couche est située sur la surface inférieure du substrat, présente un second module d'élasticité qui est inférieur au premier module d'élasticité, et présente un premier coefficient de dilatation thermique. Le second film est situé sur la surface inférieure de la première couche, comprend le même matériau que le premier film, et a un second coefficient de dilatation thermique qui est inférieur au premier coefficient de dilatation thermique.
(JA)
本発明の実施形態に係る基体は、基板と、第1膜と、第1層と、第2膜とを備えている。基板は、第1弾性率を有している。第1膜は、基板の上面に位置している。第1層は、基板の下面に位置しており、第1弾性率よりも低い第2弾性率を有するとともに、第1熱膨張係数を有している。第2膜は、第1層の下面に位置し、第1膜と同じ材料を含み、第1熱膨張係数よりも小さい第2熱膨張係数を有している。
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