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1. WO2020004091 - PLASMA PROCESSING DEVICE, PLASMA STATE DETECTION METHOD, AND PLASMA STATE DETECTION PROGRAM

Publication Number WO/2020/004091
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/JP2019/023793
International Filing Date 17.06.2019
IPC
H ELECTRICITY
05
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H
PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY- CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
1
Generating plasma; Handling plasma
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30
Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302
to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
306
Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065
Plasma etching; Reactive-ion etching
H ELECTRICITY
05
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H
PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY- CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
1
Generating plasma; Handling plasma
24
Generating plasma
46
using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
H05H 1/00 (2006.01)
H01L 21/3065 (2006.01)
H05H 1/46 (2006.01)
CPC
H01L 21/3065
H05H 1/00
H05H 1/46
Applicants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventors
  • 林 大輔 HAYASHI, Daisuke; JP
  • 梅澤 義弘 UMEZAWA, Yoshihiro; JP
  • 岡 信介 OKA, Shinsuke; JP
Agents
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
Priority Data
2018-12489629.06.2018JP
2019-03201325.02.2019JP
2019-09960928.05.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) PLASMA PROCESSING DEVICE, PLASMA STATE DETECTION METHOD, AND PLASMA STATE DETECTION PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA, PROCÉDÉ DE DÉTECTION D'ÉTAT DE PLASMA, ET PROGRAMME DE DÉTECTION D'ÉTAT DE PLASMA
(JA) プラズマ処理装置、プラズマ状態検出方法およびプラズマ状態検出プログラム
Abstract
(EN)
A measurement unit controls, with a heater control unit, the power supplied to a heater, so that the temperature of the heater is constant, and measures the power supplied in an unignited state in which the plasma is not ignited, and in an excess state in which the power supplied to the heater after the plasma is ignited is reduced. Using the power supplied in the unignited state and in the excess state, measured by the measurement unit, a parameter calculation unit performs fitting to a calculation model for calculating the power supplied in the excess state, the calculation model including the heat input amount from the plasma as a parameter, and calculates the heat input amount. An output unit outputs information based on the heat input amount calculated by the parameter calculation unit.
(FR)
Selon l'invention, une unité de mesure commande, au moyen d'une unité de commande d'élément chauffant, la puissance fournie à un élément chauffant, de sorte que la température de l'élément chauffant soit constante, et mesure la puissance fournie dans un état de non-ignition dans lequel le plasma n'est pas en ignition, et dans un état en excès dans lequel il y a une baisse de la puissance fournie à l'élément chauffant après l'allumage du plasma. À l'aide de la puissance fournie dans l'état de non-ignition et dans l'état en excès, mesurée par l'unité de mesure, une unité de calcul de paramètre applique un ajustement à un modèle de calcul pour calculer la puissance fournie dans l'état en excès, le modèle de calcul comprenant la quantité d'entrée de chaleur issue du plasma en tant que paramètre, et calcule la quantité d'entrée de chaleur. Une unité de sortie délivre des informations sur la base de la quantité d'entrée de chaleur calculée par l'unité de calcul de paramètre.
(JA)
計測部は、ヒーター制御部により、ヒーターの温度が一定となるようヒーターへの供給電力を制御して、プラズマを点火して無い未点火状態と、プラズマを点火してからヒーターへの供給電力が低下する過渡状態での供給電力を計測する。パラメータ算出部は、プラズマからの入熱量をパラメータとして含み、過渡状態の供給電力を算出する算出モデルに対して、計測部により計測された未点火状態と過渡状態の供給電力を用いてフィッティングを行って、入熱量を算出する。出力部は、パラメータ算出部により算出された入熱量に基づく情報を出力する。
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