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1. WO2020003675 - TOTAL REFLECTION X-RAY FLUORESCENCE ANALYSIS DEVICE AND MEASURING METHOD

Publication Number WO/2020/003675
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/JP2019/014524
International Filing Date 01.04.2019
IPC
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
N
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
23
Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation not covered by group G01N21/ or G01N22/159
22
by measuring secondary emission
223
by irradiating the sample with X-rays and by measuring X-ray fluorescence
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
B
MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
15
Measuring arrangements characterised by the use of wave or particle radiation
02
for measuring thickness
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
N
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
23
Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation not covered by group G01N21/ or G01N22/159
20
by using diffraction of the radiation, e.g. for investigating crystal structure; by using reflection of the radiation
G01N 23/223 (2006.01)
G01B 15/02 (2006.01)
G01N 23/20 (2018.01)
CPC
G01B 15/02
G01N 23/20
G01N 23/223
Applicants
  • 株式会社リガク RIGAKU CORPORATION [JP/JP]; 東京都昭島市松原町3丁目9番12号 3-9-12, Matsubara-cho, Akishima-shi, Tokyo 1968666, JP
Inventors
  • 河野 浩 KONO, Hiroshi; JP
  • 村上 智 MURAKAMI, Satoshi; JP
Agents
  • 特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 東京都千代田区六番町3 六番町SKビル5階 Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085, JP
Priority Data
2018-12215527.06.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) TOTAL REFLECTION X-RAY FLUORESCENCE ANALYSIS DEVICE AND MEASURING METHOD
(FR) DISPOSITIF D'ANALYSE PAR FLUORESCENCE DE RAYONS X À RÉFLEXION TOTALE ET PROCÉDÉ DE MESURE
(JA) 全反射蛍光X線分析装置及び測定方法
Abstract
(EN)
The present invention enables realizing, at low costs and in a simplified manner: a method for measuring the density and the thickness of a measurement sample; and a total reflection X-ray fluorescence analysis device for measuring the density and the thickness of a measurement sample. This total reflection X-ray fluorescence analysis device comprises: an X-ray source which emits a monochromatic primary X-ray while changing the incident angle with respect to the surface of a measurement sample in a range covering the total reflection critical angle of the measurement sample; a detector for measuring the intensity of a resultant fluorescent X-ray generated from the measurement sample; and a computation unit that acquires a differential curve by differentiating, with respect to the incident angle, the relation between the fluorescent X-ray intensity and the incident angle, that acquires the total reflection critical angle from the differential curve, and that, on the basis of the total reflection critical angle and the wavelength of the primary X-ray, computes the density and/or the thickness of the measurement sample.
(FR)
La présente invention permet de réaliser, à faible coût et de manière simplifiée : un procédé de mesure de la densité et de l'épaisseur d'un échantillon de mesure ; et un dispositif d'analyse de fluorescence X à réflexion totale, pour mesurer la densité et l'épaisseur d'un échantillon de mesure. Ce dispositif d'analyse de fluorescence X à réflexion totale comprend : une source de rayons X, qui émet un rayon X primaire monochromatique tout en changeant l'angle d'incidence par rapport à la surface d'un échantillon de mesure dans une plage couvrant l'angle critique de réflexion totale de l'échantillon de mesure ; un détecteur, pour mesurer l'intensité d'un rayon X fluorescent résultant, généré à partir de l'échantillon de mesure ; et une unité de calcul, qui acquiert une courbe différentielle par différenciation, par rapport à l'angle d'incidence, de la relation entre l'intensité de rayons X fluorescents et l'angle d'incidence, qui acquiert l'angle critique de réflexion totale à partir de la courbe différentielle, et qui, en fonction de l'angle critique de réflexion totale et de la longueur d'onde du rayon X primaire, calcule la densité et/ou l'épaisseur de l'échantillon de mesure.
(JA)
測定試料の密度や膜厚の測定方法及び測定試料の密度や膜厚を測定する全反射蛍光X線分析装置を、低コストかつ簡便に実現できるようにする。 全反射蛍光X線分析装置であって、測定試料の全反射臨界角度を跨いで、前記測定試料の表面に対する入射角度を変えながら単色化した1次X線を照射するX線源と、前記測定試料から発生した蛍光X線の強度を測定する検出器と、前記蛍光X線の強度と前記入射角度との関係を、前記入射角度について微分することによって微分曲線を取得し、該微分曲線から前記全反射臨界角度を取得し、さらに、前記全反射臨界角度と前記1次X線の波長とに基づいて前記測定試料の密度及びまたは膜厚を算出する演算部と、を有する。
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