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1. WO2020003557 - PLASMA TREATMENT DEVICE, PLASMA TREATMENT METHOD, PROGRAM, AND MEMORY MEDIUM

Publication Number WO/2020/003557
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/JP2018/047319
International Filing Date 21.12.2018
Chapter 2 Demand Filed 28.06.2019
IPC
H ELECTRICITY
05
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H
PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY- CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
1
Generating plasma; Handling plasma
24
Generating plasma
46
using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
C CHEMISTRY; METALLURGY
23
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
C
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14
Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22
characterised by the process of coating
34
Sputtering
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30
Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
31
to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers; Selection of materials for these layers
H05H 1/46 (2006.01)
C23C 14/34 (2006.01)
H01L 21/31 (2006.01)
CPC
C23C 14/34
H01L 21/31
H05H 1/46
Applicants
  • キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市麻生区栗木2-5-1 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP
Inventors
  • 田名部 正治 TANABE, Masaharu; JP
  • 関谷 一成 SEKIYA, Kazunari; JP
  • 井上 忠 INOUE, Tadashi; JP
  • 笹本 浩 SASAMOTO, Hiroshi; JP
  • 佐藤 辰憲 SATO, Tatsunori; JP
  • 土屋 信昭 TSUCHIYA, Nobuaki; JP
  • 竹田 敦 TAKEDA, Atsushi; JP
Agents
  • 大塚 康徳 OHTSUKA, Yasunori; JP
  • 大塚 康弘 OHTSUKA, Yasuhiro; JP
  • 高柳 司郎 TAKAYANAGI, Jiro; JP
  • 木村 秀二 KIMURA, Shuji; JP
Priority Data
PCT/JP2018/02414626.06.2018JP
PCT/JP2018/02414726.06.2018JP
PCT/JP2018/02414826.06.2018JP
PCT/JP2018/02414926.06.2018JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) PLASMA TREATMENT DEVICE, PLASMA TREATMENT METHOD, PROGRAM, AND MEMORY MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA, PROGRAMME, ET SUPPORT DE MÉMOIRE
(JA) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プログラムおよびメモリ媒体
Abstract
(EN)
This plasma treatment device is provided with: an impedance matching circuit; a balun which has a first unbalanced terminal that is connected to the impedance matching circuit, a second unbalanced terminal that is grounded, a first balanced terminal, and a second balanced terminal; a grounded vacuum container; a first electrode which is electrically connected to the first balanced terminal; a second electrode which is electrically connected to the second balanced terminal; an adjustment reactance which influences the relationship between a first voltage to be applied to the first electrode and a second voltage to be applied to the second electrode; a high-frequency power source which generates high-frequency waves that are supplied between the first unbalanced terminal and the second unbalanced terminal via the impedance matching circuit; and a control unit which controls impedance of the impedance matching circuit and reactance of the adjustment reactance.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de traitement plasma qui comporte : un circuit d’appariement d’impédance ; un symétriseur qui a une première borne non équilibrée qui est connectée au circuit d’appariement d’impédance, une deuxième borne non équilibrée qui est reliée à la masse, une première borne équilibrée, et une deuxième borne équilibrée ; un récipient sous vide relié à la masse ; une première électrode qui est connectée électriquement à la première borne équilibrée ; une deuxième électrode qui est connectée électriquement à la deuxième borne équilibrée ; une réactance de réglage qui influence la relation entre une première tension à appliquer à la première électrode et une deuxième tension à appliquer à la deuxième électrode ; une source d’énergie à haute fréquence qui génère des ondes à haute fréquence qui sont appliquées entre la première borne non équilibrée et la deuxième borne non équilibrée par le biais du circuit d’appariement d’impédance ; et une unité de contrôle qui contrôle l’impédance du circuit d’appariement d’impédance circuit et la réactance de la réactance de réglage.
(JA)
プラズマ処理装置は、インピーダンス整合回路と、前記インピーダンス整合回路に接続された第1不平衡端子、接地された第2不平衡端子、第1平衡端子および第2平衡端子を有するバランと、接地された真空容器と、前記第1平衡端子に電気的に接続された第1電極と、前記第2平衡端子に電気的に接続された第2電極と、前記第1電極に印加される第1電圧と前記第2電極に印加される第2電圧との関係に影響を与える調整リアクタンスと、前記インピーダンス整合回路を介して前記第1不平衡端子と前記第2不平衡端子との間に供給される高周波を発生する高周波電源と、前記インピーダンス整合回路のインピーダンスおよび前記調整リアクタンスのリアクタンスを制御する制御部と、を備える。
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