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1. WO2020001599 - SURGE PROTECTION DEVICE AND CHIP CONSTITUTED BY SAME, AND COMMUNICATION TERMINAL

Publication Number WO/2020/001599
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/CN2019/093619
International Filing Date 28.06.2019
IPC
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
H
EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
9
Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
04
responsive to excess voltage
H02H 9/04 (2006.01)
CPC
H02H 9/04
Applicants
  • 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 VANCHIP (TIANJIN) TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国天津市 滨海新区信环西路19号2号楼2701-3室 Room 2701-3, Building 2 No. 19 Xinhuan W. Rd. Binhai New Area Tianjin 300457, CN
Inventors
  • 李艳伟 LI, Yanwei; CN
  • 林升 LIN, Sheng; CN
Agents
  • 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) BEIJING GENIUS ESSEN INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国北京市 西城区珠市口西大街120号太丰惠中大厦806~809室 Room 806~809, Taifeng Huizhong Mansion No. 120 Zhushikou W. St. Xicheng District Beijing 100050, CN
Priority Data
201810703843.630.06.2018CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SURGE PROTECTION DEVICE AND CHIP CONSTITUTED BY SAME, AND COMMUNICATION TERMINAL
(FR) DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES SURTENSIONS ET PUCE CONSTITUÉE DE CE DERNIER, ET TERMINAL DE COMMUNICATION
(ZH) 一种浪涌保护器件及其组成的芯片、通信终端
Abstract
(EN)
Disclosed are a surge protection device and a chip constituted thereby, and a communication terminal. The surge protection device comprises an input pad and an output pad. The input pad is connected to a power supply voltage, and the output pad is connected to an earth wire. NMOS transistor groups are provided between the input pad and the output pad. The NMOS transistor groups are connected to the input pad and the output pad respectively by means of metal wires. The structures of the metal wires between the NMOS transistor groups and the input pad and the output pad respectively and/or the structures of the NMOS transistor groups are changed to reduce or cancel non-uniform turn-on of the NMOS transistor groups caused by metal wires having different lengths from the NMOS transistor groups to the input pad and the output pad respectively along a power supply voltage wire direction, thereby improving the turn-on uniformity of the surge protection device and improving the surge preventing capability.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de protection contre les surtensions et une puce constituée de ce dernier, et un terminal de communication. Le dispositif de protection contre les surtensions comprend un plot d'entrée et un plot de sortie. Le plot d'entrée est connecté à une tension d'alimentation, et le plot de sortie est connecté à un fil de terre. Des groupes de transistors NMOS sont disposés entre le plot d'entrée et le plot de sortie. Les groupes de transistors NMOS sont connectés respectivement au plot d'entrée et au plot de sortie au moyen de fils métalliques. Les structures des fils métalliques entre les groupes de transistors NMOS et le plot d'entrée et le plot de sortie respectivement et/ou les structures des groupes de transistors NMOS sont modifiées pour réduire ou annuler une mise sous tension non uniforme des groupes de transistors NMOS provoquée par des fils métalliques ayant des longueurs différentes des groupes de transistors NMOS au plot d'entrée et au plot de sortie respectivement le long d'une direction de fil de tension d'alimentation électrique, ce qui permet d'améliorer l'uniformité de mise sous tension du dispositif de protection contre les surtensions et d'améliorer la capacité de prévention des surtensions.
(ZH)
本发明公开了一种浪涌保护器件及其组成的芯片、通信终端。该浪涌保护器件包括输入焊盘与输出焊盘,输入焊盘连接电源电压,输出焊盘连接地线,输入焊盘与输出焊盘之间设置NMOS晶体管组,NMOS晶体管组通过金属走线分别与输入焊盘、输出焊盘连接;其中,改变NMOS晶体管组分别与输入焊盘和输出焊盘之间的金属走线结构和/或NMOS晶体管组的结构,以减小或抵消沿着电源电压走线方向上各NMOS晶体管组分别到输入焊盘和输出焊盘的金属走线长度不同而导致的NMOS晶体管组导通不均匀,从而改善本浪涌保护器件的导通均匀性,提高防浪涌能力。
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