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1. WO2020001553 - GATE DRIVING CIRCUIT OF GALLIUM NITRIDE DEVICE AND INTEGRATED CIRCUIT, AND VOLTAGE REGULATOR

Publication Number WO/2020/001553
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/CN2019/093350
International Filing Date 27.06.2019
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
H01L 29/66 (2006.01)
CPC
H01L 21/8252
H01L 27/0207
H01L 27/0605
H01L 27/0629
H01L 27/085
H01L 27/0883
Applicants
  • 李湛明 LI, Zhanming [CA/CN]; CA
  • 傅玥 FU, Yue [CA/CA]; CA
  • 刘雁飞 LIU, Yanfei [CA/CA]; CA
Inventors
  • 李湛明 LI, Zhanming; CA
  • 傅玥 FU, Yue; CA
  • 刘雁飞 LIU, Yanfei; CA
Agents
  • 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) BEIJING JIUCHENG INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (SPECIAL ORDINARY PARTNERSHIP); 中国北京市 昌平区沙河镇百沙路松兰堡村西B座222余罡 YU, Gang Block 222, West B, Songlanbao Village, Baisha Road, Shahe Town, Changping District Beijing 102206, CN
Priority Data
16/449,35622.06.2019US
16/454,07827.06.2019US
62/690,37827.06.2018US
62/694,66306.07.2018US
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) GATE DRIVING CIRCUIT OF GALLIUM NITRIDE DEVICE AND INTEGRATED CIRCUIT, AND VOLTAGE REGULATOR
(FR) CIRCUIT D'EXCITATION DE GRILLE DE DISPOSITIF AU NITRURE DE GALLIUM ET CIRCUIT INTÉGRÉ ET RÉGULATEUR DE TENSION
(ZH) 氮化镓器件和集成电路的栅极驱动电路及电压调节器
Abstract
(EN)
Provided in an embodiment of the present invention are a gate driving circuit of a gallium nitride device and integrated circuit, as well as a voltage regulator, wherein voltage stabilization and a voltage regulating circuit that are implemented by using gallium nitride HEMT technology are capable of providing stable output voltage and are suitable for applications in low-voltage auxiliary power supplies of gallium nitride power transistor gate drivers and gallium nitride integrated circuits, and so on. A gate driver and voltage regulator module comprise at least one DHEMT and at least two EHEMTs that are connected together in series, such that the at least one DHEMT performs variable resistance work, and the at least two EHEMTs perform Zener diode work that limits output. The gate driver and voltage regulator module may act as a gallium nitride integrated circuit, and may be wholly integrated on a single chip with an amplifier, power HEMT, and other such assemblies, thereby providing a gallium nitride HEMT power module integrated circuit.
(FR)
La présente invention porte, dans un mode de réalisation, sur un circuit d'excitation de grille d'un dispositif au nitrure de gallium et sur un circuit intégré, ainsi que sur un régulateur de tension, la stabilisation de tension et un circuit de régulation de tension qui sont mis en œuvre en utilisant une technologie HEMT au nitrure de gallium, pouvant fournir une tension de sortie stable et étant appropriés pour des applications dans des alimentations électriques auxiliaires basse tension de pilotes de grille de transistor de puissance au nitrure de gallium et de circuits intégrés au nitrure de gallium, etc. Un module de pilote de grille et de régulateur de tension comprend au moins un DHEMT et au moins deux EHEMT qui sont raccordés l'un à l'autre en série de telle sorte que l'au moins un DHEMT effectue un travail de résistance variable et que les au moins deux EHEMT effectuent un travail de diode Zener qui limite la sortie. Le module de pilote de grille et de régulateur de tension peut agir comme un circuit intégré au nitrure de gallium et peut être entièrement intégré sur une puce unique avec un amplificateur, un HEMT de puissance et d'autres ensembles de ce type, ce qui permet d'obtenir un circuit intégré de module de puissance HEMT au nitrure de gallium.
(ZH)
本发明实施例提供一种氮化镓器件和集成电路的栅极驱动电路及电压调节器,采用氮化镓HEMT技术实现的电压稳定和调压电路能够提供稳定的输出电压,适用于氮化镓功率晶体管栅极驱动器和氮化镓集成电路的低压辅助电源等应用。栅极驱动器和电压调节器模块包括至少一个串联连接在一起的DHEMT和至少两个EHEMTs,以便至少一个DHEMT作为可变电阻工作,并且至少两个EHEMTs作为限制输出的齐纳二极管工作。栅极驱动器和电压调节器模块可以实现作为一个氮化镓集成电路,并且可以在单个芯片上与放大器和功率HEMT等其他组件整体集成,以提供氮化镓HEMT功率模块集成电路。
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