PATENTSCOPE will be unavailable a few hours for maintenance reason on Monday 03.02.2020 at 10:00 AM CET
Search International and National Patent Collections
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persists, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2020000650) MEMS MICROPHONE
Latest bibliographic data on file with the International BureauSubmit observation

Pub. No.: WO/2020/000650 International Application No.: PCT/CN2018/104441
Publication Date: 02.01.2020 International Filing Date: 06.09.2018
H04R 19/04 (2006.01)
Electrostatic transducers
歌尔股份有限公司 GOERTEK INC. [CN/CN]; 中国山东省潍坊市 高新技术开发区东方路268号 No.268 Dongfang Road, Hi-Tech Industry District Weifang , Shandong 261031, CN
邹泉波 ZOU, Quanbo; CN
董永伟 DONG, Yongwei; CN
北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) BEYOND TALENT PATENT AGENT FIRM; 中国北京市 朝阳区朝阳门外大街10号昆泰大厦1201单元 Room 1201, Kuntai Building #10 Chaoyangmenwai Str. Chaoyang District Beijing 100020, CN
Priority Data:
(ZH) MEMS麦克风
(EN) An MEMS microphone, comprising a first substrate (1) and a vibrating diaphragm (2) supported at an upper portion of the first substrate (1) by means of a partition portion (3). The first substrate (1), the partition portion (3), and the vibrating diaphragm (2) enclose a vacuum chamber (4), wherein a static deflection distance of the vibrating diaphragm (2) under an atmospheric pressure is smaller than a distance between the vibrating diaphragm (2) and the first substrate (1); the MEMS microphone further comprises a floating gate field effect transistor used for outputting a varied electrical signal, and the floating gate field effect transistor comprises a source (5) and a drain (6) which are provided on the substrate (1) and further comprises a floating gate electrode (7) provided on the vibrating diaphragm (2). According to the MEMS microphone having the structure, the vibrating diaphragm (2) and the first substrate (1) enclose the vacuum chamber (4), so that the influence of acoustic resistance on vibration of the vibrating diaphragm (2) is reduced, and the signal to noise ratio of the microphone is improved. Since the microphone having the structure does not need a back chamber having a large volume, the whole size of the microphone is greatly reduced, and the reliability of the microphone is enhanced.
(FR) L'invention concerne un microphone MEMS, comprenant un premier substrat (1) et un diaphragme vibrant (2) supporté au niveau d'une partie supérieure du premier substrat (1) au moyen d'une partie de séparation (3). Le premier substrat (1), la partie de séparation (3) et le diaphragme vibrant (2) renferment une chambre à vide (4), une distance de déviation statique du diaphragme vibrant (2) sous une pression atmosphérique étant inférieure à une distance entre le diaphragme vibrant (2) et le premier substrat (1); le microphone MEMS comprend en outre un transistor à effet de champ à grille flottante utilisé pour émettre un signal électrique varié, et le transistor à effet de champ à grille flottante comprend une source (5) et un drain (6) qui sont disposés sur le substrat (1) et comprend en outre une électrode de grille flottante (7) disposée sur le diaphragme vibrant (2). Selon le microphone MEMS ayant la structure, le diaphragme vibrant (2) et le premier substrat (1) entourent la chambre à vide (4), de telle sorte que l'influence de la résistance acoustique sur les vibrations du diaphragme vibrant (2) est réduite, et le rapport signal sur bruit du microphone est amélioré. Étant donné que le microphone ayant la structure n'a pas besoin d'une chambre arrière ayant un volume important, la taille globale du microphone est fortement réduite, et la fiabilité du microphone est améliorée.
(ZH) 一种MEMS麦克风,包括第一衬底(1)以及通过间隔部(3)支撑在第一衬底(1)上方的振膜(2),第一衬底(1)、间隔部(3)、振膜(2)围成了真空腔(4);其中,振膜(2)在大气压力下的静态偏转距离小于振膜(2)与第一衬底(1)之间的距离;还包括用于输出变化电信号的浮栅场效应晶体管,浮栅场效应晶体管包括设置在第一衬底(1)上的源极(5)、漏极(6),还包括设置在振膜(2)上的浮动栅极(7)。根据该结构的MEMS麦克风,振膜(2)与第一衬底(1)之间围成了真空腔(4),从而可以降低声阻对振膜(2)振动的影响,提高了麦克风的信噪比;由于该结构的MEMS麦克风不需要较大容积的背腔,因此可以大大降低MEMS麦克风的整体尺寸,增强了麦克风的可靠性。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)