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1. WO2020000414 - COUPLING MECHANISMS FOR SUBSTRATES, SEMICONDUCTOR PACKAGES, AND/OR PRINTED CIRCUIT BOARDS

Publication Number WO/2020/000414
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/CN2018/093797
International Filing Date 29.06.2018
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
52
Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another
522
including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
528
Layout of the interconnection structure
H01L 23/528 (2006.01)
CPC
H01L 23/528
Applicants
  • INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
  • LIN, Si Wen [CN/CN]; CN (BZ)
Inventors
  • LIN, Si Wen; CN
Agents
  • CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F., Great Eagle Center, 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Priority Data
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) COUPLING MECHANISMS FOR SUBSTRATES, SEMICONDUCTOR PACKAGES, AND/OR PRINTED CIRCUIT BOARDS
(FR) MÉCANISMES DE COUPLAGE POUR SUBSTRATS, BOÎTIERS SEMI-CONDUCTEURS ET/OU CARTES DE CIRCUITS IMPRIMÉS
Abstract
(EN)
Techniques directed to forming and using coupling mechanisms for substrates, semiconductor packages, and/or printed circuit boards are described. One technique includes forming a substrate (205) comprising: first and second interconnect pads (213 A, 213 B) in or on a build-up layer (203); and first and second interconnects (211 A, 211 B) on the first and second interconnect pads (213 A, 213 B). The first interconnect pad (213 A) can be located at a lower position than the second interconnect pad (213 B) with regard to a z-position. The techniques described herein can assist with minimizing or eliminating solder ball bridge defects (SBBDs) that may be creating during performance of coupling technique (e.g., a reflow process, etc.).
(FR)
L'invention concerne des techniques visant à former et à utiliser des mécanismes de couplage pour des substrats, des boîtiers semi-conducteurs et/ou des cartes de circuits imprimés. Une technique consiste à former un substrat (205) comprenant : des premier et second plots d'interconnexion (213 A, 213 B) dans ou sur une couche d'accumulation (203) ; et des première et seconde interconnexions (211 A, 211 B) sur les premier et deuxième plots d'interconnexion (213 A, 213 B). Le premier plot d'interconnexion (213 A) peut être situé à une position inférieure à celle du second plot d'interconnexion (213 B) par rapport à une position z. Les techniques selon la présente invention peuvent aider à réduire au minimum ou à éliminer les défauts de pont de billes de soudure (SBBD) qui peuvent être créés pendant les performances d'une technique de couplage (par exemple, un processus de refusion, etc.).
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