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1. WO2020000408 - LED CHIP STRUCTURE

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

权利要求书

[权利要求 1] 一种 LED芯片结构,其包括一载体,载体上的一半导体层序列,一反 射层序列配置在载体和半导体层序列之间,反射层序列具有一面向半 导体层序列的增透膜层和一远离半导体层序列的金属镜面层,半导体 序列包括:第一导电性半导体层、发光层和第二导电性半导体层,其 特征在于:半导体序列与增透膜之间的界面至少部分区域为粗化面或 图案化面,增透膜层与金属镜面层的界面是光滑面。

[权利要求 2] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构,其特征在于:半导体序列与增 透膜层之间存在电流扩展层,所述电流扩展层与增透膜层之间为粗化 面或图案化面。

[权利要求 3] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述的增透膜层 为透明导电层,其折射率低于半导体序列折射率。

[权利要求 4] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构,其特征在于:半导体层序列的 侧面为粗化或图案化面。

[权利要求 5] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构,其特征在于:半导体层序列的 顶面出光面是粗化或图案化处理面。

[权利要求 6] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述的图案化面 的图案结构蚀刻形成,图案为包括多个凹处,凹处的宽度随着深度的 减小而扩大。

[权利要求 7] 根据权利要求 7所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述多个深入半 导体序列一侧宽度变窄的凹处具备的倾斜面的角度为 45。

[权利要求 8] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构,其特征在于:定义所述半导体 序列与增透膜之间的界面的表面结构的平均高度 H或粗化面的平均粗 糙度为 Rz,所述的增透膜层与金属反射层之间的界面的粗糙度 Rz’(表 面结构轮廓的最大高度)为上述平均高度 H或平均粗糙度 Rz的至少一 半以下。

[权利要求 9] 根据权利要求 8所述的 LED芯片结构,其特征在于:定义所述的半导 体序列与增透膜之间的界面的漫反射率为 R1,而增透膜与金属反射层 界面的漫散射率为 R1的至少三分之一。

[权利要求 10] 根据权利要求 9所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述的半导体序 列与增透膜界面的漫反射率为至少 50%,所述的金属反射层与增透膜 界面的反射率为 90%以上,漫反射率为 10%以下。

[权利要求 11] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述的增透膜层 为介电层,其折射率低于半导体序列折射率,所述的增透膜层的厚度 为 100- 1000纳米。

[权利要求 12] 根据权利要求 11所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述介电层中设 置孔,孔中沉积有金属材料,金属材料相同或不同于金属镜面层并用 于金属镜面层与半导体序列的电连通。

[权利要求 13] 根据权利要求 11所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述介电层中设 置孔,孔中沉积透明导电层,用于金属镜面层与半导体序列的电连通

[权利要求 14] 根据权利要求 2所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述的电流扩展 层为磷化镓,所述的电流扩展层的厚度至少 0.5微米。

[权利要求 15] 根据权利要求 14所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述的电流扩展 层的厚度 1 -2pm。

[权利要求 16] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述的衬底为导 电衬底,并且在背面有背面金属,背面金属用于与半导体序列中靠近 增透膜侧的半导电性半导体层进行电连接。

[权利要求 17] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述的衬底为非 导电衬底,金属反射层部分区域用于与半导体序列中靠近增透膜侧的 导电性半导体层进行电连接。

[权利要求 18] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构,其特征在于:半导体序列与增 透膜之间的界面至少部分区域为粗化面或图案化面,其中至少部分区 域是指中间部分为粗化面或图案化面,边缘区域设置为光滑面。

[权利要求 19] 根据权利要求 18所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述的边缘区域 为到侧壁的距离小于等于半导体序列厚度。

[权利要求 20] 根据权利要求 18所述的 LED芯片结构,其特征在于:所述反射层下方 无载体。