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1. WO2020000380 - SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2020/000380
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/CN2018/093694
International Filing Date 29.06.2018
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof
71
Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/7086
768
Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
H01L 21/768 (2006.01)
CPC
H01L 2224/335
H01L 2225/06513
H01L 23/5329
H01L 24/09
H01L 24/27
H01L 24/33
Applicants
  • 长江存储科技有限责任公司 YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室 Room 7018 No.18, Huaguang Road, Guandong Science and Technology Industrial Park, East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430074, CN
Inventors
  • 王新胜 WANG, Xinsheng; CN
  • 张莉 ZHANG, Li; CN
  • 张高升 ZHANG, Gaosheng; CN
  • 万先进 WAN, Xianjin; CN
  • 华子群 HUA, Ziqun; CN
  • 王家文 WANG, Jiawen; CN
  • 丁滔滔 DING, Taotao; CN
  • 朱宏斌 ZHU, Hongbin; CN
  • 程卫华 CHENG, Weihua; CN
  • 杨士宁 YANG, Shining; CN
Agents
  • 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) SHANGHAI WINSUN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; 中国上海市 闸北区梅园路228号企业广场12楼1216室 Room 1216, 12/F Enterprise Square, 228 Meiyuan Road, Zhabei District Shanghai 200070, CN
Priority Data
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE D'ENCAPSULATION ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
(ZH) 半导体结构及其形成方法
Abstract
(EN)
The present invention relates to a semiconductor structure and a forming method therefor, the semiconductor structure comprising: a first substrate; a first adhesion layer located on a surface of the first substrate; a first buffer layer located on a surface of the first adhesion layer; and a first bonding layer located on a surface of the first buffer layer, wherein the densities of the first adhesion layer and the first buffer layer are both greater than the density of the first bonding layer. There is greater adhesion between the first adhesion layer and the first substrate and the first buffer layer of the semiconductor structure and between the first buffer layer and the first bonding layer thereof, thereby facilitating the improvement in the performance of the semiconductor structure.
(FR)
La présente invention concerne une structure semi-conductrice et son procédé de formation, la structure semi-conductrice comprenant : un premier substrat ; une première couche d'adhérence située sur une surface du premier substrat ; une première couche tampon située sur une surface de la première couche d'adhérence ; et une première couche de liaison située sur une surface de la première couche tampon, les densités de la première couche d'adhérence et de la première couche tampon étant toutes deux supérieures à la densité de la première couche de liaison. Il y a plus d'adhérence entre la première couche d'adhérence et le premier substrat et la première couche tampon de la structure semi-conductrice et entre la première couche tampon et la première couche de liaison de celle-ci, ce qui facilite l'amélioration de la performance de la structure semi-conductrice.
(ZH)
本发明涉及一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:第一基底;位于所述第一基底表面的第一粘附层;位于所述第一粘附层表面的第一缓冲层;位于所述第一缓冲层表面的第一键合层,所述第一粘附层和第一缓冲层的致密度均大于所述第一键合层的致密度。所述半导体结构的第一粘附层与所述第一基底以及第一缓冲层之间、第一缓冲层与第一键合层之间具有较高的粘附性,有利于提高半导体结构的性能。
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