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1. WO2020000318 - THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING SHIELDING LAYER AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Publication Number WO/2020/000318
Publication Date 02.01.2020
International Application No. PCT/CN2018/093423
International Filing Date 28.06.2018
IPC
[IPC code unknown for H01L 27/1157]
H01L 27/1157 (2017.01)
CPC
G11C 16/06
G11C 5/06
H01L 23/552
H01L 27/0688
H01L 27/11524
H01L 27/11529
Applicants
  • YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Room 7018, No.18, Huaguang Road, Guandong Science and Technology Industrial Park East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430074, CN
Inventors
  • HUO, Zongliang; CN
  • XIA, Zhiliang; CN
  • XIAO, Li Hong; CN
  • CHEN, Jun; CN
Agents
  • NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.; 10th Floor, Tower C, Beijing Global Trade Center 36 North Third Ring Road East, Dongcheng District Beijing 100013, CN
Priority Data
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING SHIELDING LAYER AND METHOD FOR FORMING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL AYANT UNE COUCHE DE BLINDAGE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Abstract
(EN)
Three-dimensional (3D) memory devices having a shielding layer and methods for forming the 3D memory devices. A 3D memory device (100) includes a substrate (104), a peripheral device(106) disposed on the substrate(104), a plurality of memory strings(116) each extending vertically above the peripheral device(106), a semiconductor layer(118) disposed above and in contact with the plurality of memory strings(116), and a shielding layer (102) disposed between the peripheral device(106) and the plurality of memory strings(116). The shielding layer (102) includes a conduction region(148) configured to receive a grounding voltage(154) during operation of the 3D memory device(100).
(FR)
L'invention concerne des dispositifs de mémoire tridimensionnels (3D) ayant une couche de blindage et des procédés de formation des dispositifs de mémoire 3D. Un dispositif de mémoire 3D (100) comprend un substrat (104), un dispositif périphérique (106) disposé sur le substrat (104), une pluralité de chaînes de mémoire (116) s'étendant chacune verticalement au-dessus du dispositif périphérique (106), une couche semi-conductrice (118) disposée au-dessus et en contact avec la pluralité de chaînes de mémoire (116), et une couche de blindage (102) disposée entre le dispositif périphérique (106) et la pluralité de chaînes de mémoire (116). La couche de blindage (102) comprend une région de conduction (148) configurée pour recevoir une tension de mise à la masse (154) pendant le fonctionnement du dispositif de mémoire 3D (100).
Also published as
CN201880000972.7
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