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1. (WO2020000258) TERAHERTZ OSCILLATOR CIRCUIT AND OSCILLATOR BASED ON RESONANT TUNNELING DIODE
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Pub. No.: WO/2020/000258 International Application No.: PCT/CN2018/093137
Publication Date: 02.01.2020 International Filing Date: 27.06.2018
IPC:
H04B 1/16 (2006.01) ,H01L 29/88 (2006.01)
H ELECTRICITY
04
ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
B
TRANSMISSION
1
Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/-H04B13/123; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
06
Receivers
16
Circuits
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
86
controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated, or switched
861
Diodes
88
Tunnel-effect diodes
Applicants:
深圳市太赫兹科技创新研究院 SHENZHEN INSTITUTE OF TERAHERTZ TECHNOLOGY AND INNOVATION [CN/CN]; 中国广东省深圳市 宝安区西乡宝田一路臣田工业区37栋二楼东侧 The East Part of 2nd Floor, No.37 Building, Chentian Industrial Zone, 1st Baotian Road, Xixiang, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518102, CN
深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司 SHENZHEN INSTITUTE OF TERAHERTZ TECHNOLOGY AND INNOVATION CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 宝安区西乡街道宝田一路臣田工业区第37栋二楼东 The East Part of 2nd Floor, No.37 Building, Chentian Industrial Zone, 1st Baotian Road, Xixiang Street, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Inventors:
张翠 ZHANG, Cui; CN
丁庆 DING, Qing; CN
杨旻蔚 YANG, Minwei; CN
Agent:
深圳中一专利商标事务所 SHENZHEN ZHONGYI PATENT AND TRADEMARK OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区深南中路1014号老特区报社四楼(5号信箱) 4th Fl. (PO Box No.5) Old Shenzhen Special Zone Newspaper Building, No. 1014 Shennan Middle Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Priority Data:
Title (EN) TERAHERTZ OSCILLATOR CIRCUIT AND OSCILLATOR BASED ON RESONANT TUNNELING DIODE
(FR) CIRCUIT OSCILLATEUR TÉRAHERTZ ET OSCILLATEUR BASÉ SUR UNE DIODE À EFFET TUNNEL RÉSONANT
(ZH) 一种基于共振遂穿二极管的太赫兹振荡电路及振荡器
Abstract:
(EN) A terahertz oscillation circuit and oscillator based on a resonant tunneling diode, the terahertz oscillation circuit comprising: a first resistor, a first capacitor, a first inductance and a resonant tunneling diode for providing negative resistance, the first resistor being used to provide a bypass shunt, the first capacitor being used to filter parasitic low frequency oscillation signals generated by parasitic resistance and parasitic capacitance in the terahertz oscillation circuit, and the resonant tunneling diode being enabled to work in a negative resistance region by adding a working bias voltage at both ends of the resonant tunneling diode so that the terahertz oscillation circuit continuously oscillates to produce an oscillating signal and drive a load to radiate the oscillating signal outwards, thereby realizing the generation of terahertz radiation while operating at room temperature, and having the characteristics of low power consumption and high stability, which solves the problem of existing terahertz radiation sources needing low-temperature cooling during use due to the large volume thereof and having a relatively short device life, which greatly limits the development and application range of terahertz radiation sources.
(FR) L'invention concerne un circuit d'oscillation térahertz et un oscillateur basé sur une diode à effet tunnel résonant, le circuit d'oscillation térahertz comprenant : une première résistance, un premier condensateur, une première inductance et une diode à effet tunnel résonnant pour fournir une résistance négative, la première résistance étant utilisée pour fournir un shunt de dérivation, le premier condensateur étant utilisé pour filtrer des signaux d'oscillation basse fréquence parasites générés par la résistance parasite et la capacité parasite dans le circuit d'oscillation térahertz, et la diode à effet tunnel résonant étant activée pour fonctionner dans une région de résistance négative par l'ajout d'une tension de polarisation de travail aux deux extrémités de la diode à effet tunnel résonant de sorte que le circuit d'oscillation térahertz oscille en continu afin de produire un signal oscillant et entraîner une charge pour rayonner le signal oscillant vers l'extérieur, ce qui permet de réaliser la génération d'un rayonnement térahertz tout en fonctionnant à température ambiante, et de présenter les caractéristiques de faible consommation d'énergie et de stabilité élevée, ce qui résout le problème des sources de rayonnement térahertz existantes nécessitant un refroidissement à basse température pendant l'utilisation en raison du grand volume de celles-ci et présentant une durée de vie de dispositif relativement courte, ce qui limite considérablement le développement et la plage d'application de sources de rayonnement térahertz.
(ZH) 一种基于共振遂穿二极管的太赫兹振荡电路及振荡器,太赫兹振荡电路包括:第一电阻、第一电容、第一电感以及用于提供负阻的共振遂穿二极管,第一电阻用于提供旁路分流,第一电容用于对太赫兹振荡电路中的寄生电阻和寄生电容产生的寄生低频振荡信号进行过滤,在共振遂穿二极管两端加入工作偏压后使共振遂穿二极管工作在负阻区域,使得太赫兹振荡电路发生持续振荡以产生振荡信号,并驱动负载向外辐射振荡信号,实现了在室温下工作产生太赫兹辐射,并且具有功耗较小以及稳定性较高的特点,解决了现有的太赫兹辐射源因为体积较大,使用过程中需要低温冷却,器件寿命较短,极大的限制了太赫兹辐射源的发展和应用范围的问题。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)