(EN) A fabrication method for an amorphous silicon TFT substrate: first, forming a first photoresist layer that has photoresist patterns of three thicknesses by means of a first exposure process, and using the first photoresist layer to complete the patterning of an amorphous silicon layer, an N-type doped amorphous silicon layer, a first transparent conductive layer and a source/drain electrode metal layer by means of a three-time etching process and a two-time ashing process; then patterning a passivation layer by means of a second exposure process; finally, forming a second photoresist layer that has photoresist patterns of two thicknesses by means of a third exposure process, and using the second photoresist layer to complete the patterning of a second transparent conductive layer and a gate metal layer by means of a two-time etching process and a one-time ashing process.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat TFT en silicium amorphe comprenant les étapes suivantes : tout d'abord, la formation d'une première couche de résine photosensible qui a des motifs de résine photosensible de trois épaisseurs au moyen d'un premier processus d'exposition, et l'utilisation de la première couche de résine photosensible pour achever la formation de motifs d'une couche de silicium amorphe, d'une couche de silicium amorphe dopée de type N, d'une première couche conductrice transparente et d'une couche métallique d'électrode source/drain au moyen d'un processus de gravure en trois temps et d'un processus de calcination en deux temps ; puis la formation d'un motif sur une couche de passivation au moyen d'un deuxième processus d'exposition ; enfin, la formation d'une seconde couche de résine photosensible qui a des motifs de résine photosensible de deux épaisseurs au moyen d'un troisième processus d'exposition, et l'utilisation de la seconde couche de résine photosensible pour achever la formation de motifs d'une seconde couche conductrice transparente et d'une couche métallique de grille au moyen d'un processus de gravure en deux temps et d'un processus de calcination unique.
(ZH) 一种非晶硅TFT基板的制作方法,首先经第一道曝光制程形成具有三个厚度的光阻图案的第一光阻层,并通过三次蚀刻制程和两次灰化制程,利用第一光阻层完成非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一透明导电层及源漏极金属层这四层的图案化,然后经第二道曝光制程进行钝化层的图案化,最后经第三道曝光制程形成具有两个厚度的光阻图案的第二光阻层,通过两次蚀刻制程和一次灰化制程,利用第二光阻层完成第二透明导电层及栅极金属层这两层的图案化。