(EN) [Problem] To provide a non-volatile semiconductor memory which is capable of writing or reading at high speed and is suitable for integration at high density. [Solution] The semiconductor device comprises: a first inverter circuit that includes an n-type FET and a p-type FET; a second inverter circuit that includes an n-type FET and a p-type FET, has an output connected to an input of the first inverter circuit, and has an input connected to an output of the first inverter circuit; a first ferroelectric capacitor having one electrode connected to the input of the first inverter circuit; a second ferroelectric capacitor having one electrode connected to the input of the second inverter circuit; and a plate line that connects with the other electrode of the first ferroelectric capacitor and the other electrode of the second ferroelectric capacitor.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une mémoire semi-conductrice non volatile qui est capable d'écrire ou de lire à grande vitesse et qui est appropriée pour une intégration à haute densité. La solution selon l'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur qui comprend : un premier circuit inverseur qui comprend un FET de type n et un FET de type P ; un second circuit inverseur qui comprend un FET de type n et un FET de type p, a une sortie connectée à une entrée du premier circuit inverseur, et a une entrée connectée à une sortie du premier circuit inverseur ; un premier condensateur ferroélectrique ayant une électrode connectée à l'entrée du premier circuit inverseur ; un second condensateur ferroélectrique ayant une électrode connectée à l'entrée du second circuit inverseur ; et une ligne de plaque qui se connecte à l'autre électrode du premier condensateur ferroélectrique et à l'autre électrode du second condensateur ferroélectrique.
(JA) 【課題】高速での書き込み又は読み出しが可能であり、かつ高密度での集積化に適した不揮発の半導体メモリを提供する。 【解決手段】n型FET及びp型FETを含む第1反転回路と、n型FET及びp型FETを含み、前記第1反転回路の入力に出力が接続され、前記第1反転回路の出力に入力が接続された第2反転回路と、電極の一方を前記第1反転回路の入力に接続された第1強誘電体キャパシタと、電極の一方を前記第2反転回路の入力に接続された第2強誘電体キャパシタと、前記第1強誘電体キャパシタの電極の他方、及び前記第2強誘電体キャパシタの電極の他方と接続するプレート線と、を備える、半導体装置。