(EN) [Problem] To suppress fluctuations in polishing pressure at an outer circumferential section of a wafer, and increase flatness. [Solution] A polishing head 10 of a wafer polishing device is provided with: a membrane head 16 that can independently control a center section control pressure Pc pressing a center section of a wafer W, and an outer circumferential section control pressure Pe pressing an outer circumferential section of the wafer W; an outer ring 17 integrated with the membrane head 16 so as to configure the outer circumferential section of the membrane head 16; and a grounding type retainer ring 14 provided at an outer side of the membrane head 16. The membrane head 16 has a center section pressure chamber R1 of a single chamber structure that controls the center section control pressure Pc, and an outer circumferential section pressure chamber R2 that is provided above the center section pressure chamber R1, and that controls the outer circumferential section control pressure Pe. The position of a lower end of the outer ring 17 reaches at least a position of an inside bottom surface S1 of the center section pressure chamber R1, and the position of an upper end of the outer ring 17 reaches at least a position of an inside upper surface S2 of the center section pressure chamber R1.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de supprimer les fluctuations de la pression de polissage au niveau d'une section circonférentielle externe d'une tranche, et d'augmenter la planéité. La solution selon l'invention porte sur une tête de polissage 10 d'un dispositif de polissage de tranche qui comporte : une tête de membrane 16 qui peut commander indépendamment une pression de commande de section centrale Pc pressant une section centrale d'une tranche W, et une pression de commande de section circonférentielle externe Pe pressant une section circonférentielle externe de la tranche W ; une bague externe 17 intégrée à la tête de membrane 16 de manière à configurer la section circonférentielle externe de la tête de membrane 16 ; et une bague de retenue de type de mise à la terre 14 disposée sur un côté externe de la tête de membrane 16. La tête de membrane 16 a une chambre de pression de section centrale R1 d'une structure de chambre unique qui commande la pression de commande de section centrale Pc, et une chambre de pression de section circonférentielle externe R2 qui est disposée au-dessus de la chambre de pression de section centrale R1, et qui commande la pression de commande de section circonférentielle externe Pe. La position d'une extrémité inférieure de la bague externe 17 atteint au moins une position d'une surface inférieure interne S1 de la chambre de pression de section centrale R1, et la position d'une extrémité supérieure de la bague externe 17 atteint au moins une position d'une surface supérieure interne S2 de la chambre de pression de section centrale R1.
(JA) 【課題】ウェーハの外周部における研磨圧力のうねりを抑えて高平坦化を図る。 【解決手段】ウェーハ研磨装置の研磨ヘッド１０は、ウェーハＷの中心部を押圧する中心部制御圧力ＰｃとウェーハＷの外周部を押圧する外周部制御圧力Ｐｅとを独立に制御可能なメンブレンヘッド１６と、メンブレンヘッド１６の外周部を構成するように当該メンブレンヘッド１６と一体化された外リング１７と、メンブレンヘッド１６の外側に設けられた接地型リテーナリング１４とを備え、メンブレンヘッド１６は、中心部制御圧力Ｐｃを制御する単室構造の中心部圧力室Ｒ１と、中心部圧力室Ｒ１の上方に設けられ、外周部制御圧力Ｐｅを制御する外周部圧力室Ｒ２とを有し、外リング１７の下端の位置は、少なくとも中心部圧力室Ｒ１の内側底面Ｓ１の位置に達しており、外リング１７の上端の位置は、少なくとも中心部圧力室Ｒ１の内側上面Ｓ２の位置に達している。
