(EN) A SiO2 layer 5 is formed on an i-layer substrate 2 so as to be located at the bottom of a Si column 3. Then, a gate HfO2 layer 11b is formed so as to surround the side surface of the Si column 3, and a gate TiN layer 12b is formed so as to surround the HfO2 layer 11b. Then, P+ layers 18, 32 which contain high concentrations of acceptor impurities and serve as a source and a drain, respectively, are formed simultaneously or separately on the exposed bottom side surface and the exposed top of the Si column 3 by a selective epitaxial crystal growth method. Thus, a SGT is formed on the i-layer substrate 2.
(FR) Selon l'invention, une couche de SiO2 5 est formée sur un substrat à i couches 2 de façon à se trouver au fond d'une colonne de Si 3. Puis, une couche de HfO2 11b de grille est formée de manière à entourer la surface latérale de la colonne de Si 3, et une couche de TiN 12b de grille est formée de façon à entourer la couche de HfO2 11b. Des couches P+ 18, 32 affichant de fortes concentrations d'impuretés acceptrices et servant respectivement de source et de drain sont ensuite formées simultanément ou séparément sur la surface latérale inférieure exposée et sur la partie supérieure exposée de la colonne de Si 3 par un procédé de croissance épitaxiale sélective de cristal. Un SGT est ainsi formé sur le substrat à i couches 2.
(JA) Si柱3の底部とi層基板2上にSiO2層5を形成する。そして、Si柱3の側面を囲みゲートHfO2層11bを形成し、HfO2層11bを囲みゲートTiN層12bを形成する。そして、露出したSi柱3の底部側面と、頂部に、同時または別々に、選択エピタキシャル結晶成長法によりソース、ドレインとなるアクセプタ不純物を高濃度に含んだP+層18、32を形成する。これにより、i層基板2上にSGTを形成する。