(EN) A emitting diode (LED) includes an epitaxial structure defining a base and a mesa on the base. The base defines a light emitting surface of the LED and includes current spreading layer. The mesa includes a thick confinement layer, a light generation area on the thick confinement layer to emit light, a thin confinement layer on the light generation area, and a contact layer on the thin confinement layer, the contact layer defining a top of the mesa. A reflective contact is on the contact layer to reflect a portion of the light emitted from the light generation area, the reflected light being collimated at the mesa and directed through the base to the light emitting surface. In some embodiments, the epitaxial structure grown on a non-transparent substrate. The substrate is removed, or used to form an extended reflector to collimate light.
(FR) La présente invention concerne une diode électroluminescente (DEL) comprenant une structure épitaxiale définissant une base et une mesa sur la base. La base définit une surface d'émission de lumière de la DEL et comprend une couche d'étalement de courant. La mesa comprend une couche de confinement épaisse, une zone de génération de lumière sur la couche de confinement épaisse destinée à émettre de la lumière, une couche de confinement mince sur la zone de génération de lumière, et une couche de contact sur la couche de confinement mince, la couche de contact définissant une partie supérieure de la mesa. Un contact réfléchissant se trouve sur la couche de contact pour réfléchir une partie de la lumière émise à partir de la zone de génération de lumière, la lumière réfléchie étant collimatée au niveau de la mesa et dirigée à travers la base vers la surface d'émission de lumière. Dans certains modes de réalisation, la structure épitaxiale est développée sur un substrat non transparent. Le substrat est retiré, ou utilisé pour former un réflecteur étendu destiné à collimater la lumière.
