(EN) This semiconductor device is stacked on a cooling device so as to be held between cooling devices in the stacking direction. This semiconductor device comprises: an IGBT having main electrodes on both surfaces thereof; a first heat sink (14H, 14L) connected electrically to the main electrodes on one surface side and a second heat sink (18H, 18L) connected electrically to the main electrodes on the rear surface side such that the first heat sink and the second heat sink sandwich the IGBT in the Z-direction; an encapsulating resin body; a positive electrode terminal (22p) and an output terminal (23) which continue from a Y-direction side surface (14c), which is part of the first heat sink, so as to extend in the Y-direction from the side surface (14c); and an uneven oxide film formed on the heat sink surfaces. The uneven oxide film comprises a mounting surface roughened section formed on the mounting surfaces of the heat sink and side surface roughened sections (32) formed on side surfaces (18d, 18e) of the second heat sink (18H, 18L) corresponding to the side surface (14c).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est empilé sur un dispositif de refroidissement de façon à être maintenu entre des dispositifs de refroidissement dans la direction d'empilement. Ce dispositif à semi-conducteur comprend : un IGBT ayant des électrodes principales sur ses deux surfaces ; un premier dissipateur thermique (14H, 14L) connecté électriquement aux électrodes principales sur un côté de surface et un second dissipateur thermique (18H, 18L) connecté électriquement aux électrodes principales sur le côté de surface arrière de telle sorte que le premier dissipateur thermique et le second dissipateur thermique prennent en sandwich l'IGBT dans la direction Z ; un corps de résine d'encapsulation ; une borne d'électrode positive (22p) et une borne de sortie (23) qui continue à partir d'une surface latérale de direction Y (14c), qui fait partie du premier dissipateur thermique, de façon à s'étendre dans la direction Y à partir de la surface latérale (14c) ; et un film d'oxyde irrégulier formé sur les surfaces de dissipateur thermique. Le film d'oxyde irrégulier comprend une section rugueuse de surface de montage formée sur les surfaces de montage du dissipateur thermique et des sections rugueuses de surface latérale (32) formées sur des surfaces latérales (18d, 18e) du second dissipateur thermique (18H, 18L) correspondant à la surface latérale (14c).
(JA) 半導体装置は、冷却器と積層され、積層方向において冷却器に挟まれて保持される。半導体装置は、両面に主電極を有するIGBT、Z方向においてIGBTを挟むように配置され、一面側の主電極と電気的に接続された第1ヒートシンク(14H,14L)、及び、裏面側の主電極と電気的に接続された第2ヒートシンク(18H,18L)、封止樹脂体、第1ヒートシンクであって、Y方向の側面(14c)に連なり、側面(14c)からY方向に延設された正極端子(22p)及び出力端子(23)、ヒートシンクの表面に形成された凹凸酸化膜を備える。凹凸酸化膜は、各ヒートシンクの実装面に形成された実装面粗化部と、第2ヒートシンク(18H,18L)において側面(14c)に対応する側面(18d,18e)に形成された側面粗化部(32)を有する。